微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同,常用铝或钽作电容器的下极板,铝或金作上极板。
对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(Ni-Cr)、铬-钴(Cr-Co)、镍-铬-硅(Ni-Cr-Si)、铬-硅(Cr-Si)、铬-氧化硅(Cr-SiO)、镍铬-二氧化硅(NiCr-SiO2)。称它是载体,是因为它本身并不参加催化反应,而是在上面覆盖着一层铂、铑、钯等贵重金属。属于钽基系的有钽(Ta)、氮化钽(Ta2N)、钽-铝-氮(Ta-Al-N)、钽-硅(Ta-Si)、钽-氧-氮(Ta-O-N)、钽-硅-氧(Ta-Si-O)等。
对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得的仍是硅系和钽系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)和它们的双层复合结构:Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。之后分离轴承在复位弹簧的作用下向后移动,产生自由间隙,离合器接合。有时还用氧化钇(Y2O3),氧化铪(HfO2)和钛酸钡(BaTiO3)等。
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为了减小薄膜网路中的寄生效应,绝缘薄膜的介电常数应该很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等,适合于微波电路。
厚膜电阻体材料:用性能导电塑料,耐磨性能好;
电阻片的耐磨指标:采用丝状电刷,电刷丝在电阻表面接触压力为1.2N~2N条件下,来回循环500万次以上,电性能应能满足要求。
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厚膜电阻体的宽度、厚度应均匀,使电刷在上面滑动时,所载取的电阻值与角度成线性关系,线性偏差≤1%。
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