单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚

单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚。双向可控硅有***阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、操控极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，一起操控极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此刻A、K间呈低阻导通状况，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，操控器G即便失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍坚持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状况。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发作改动（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状况转换为高阻截止状况。单向可控硅一旦截止，即便阳极A和阴极K间又从头加上正向电压，仍需在操控极G和阴极K间有从头加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状况相当于开关的闭合与断开状况，用它可制成无触点开关。

双向可控硅的检测用万用表

双向可控硅的检测

用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其间两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为***阳极A1和操控极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为***阳极A1，红表笔所接引脚为操控极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接***阳极A1，此刻万用表指针不该发作偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应坚持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接***阳极A1。同样万用表指针应不发作偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，坚持在10欧姆左右。

符合以上规律，阐明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

可控硅按照不同的分类方法

可控硅按照不同的分类方法可分为不同的种类：

1、按关断、导通以及控制方式分类：可控硅按照关断、导通以及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

2、按照封装形式分类。

可控硅按照封装形式可以分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型，其中金属封装可控硅还有螺栓型、平板型、圆壳型等多种分类。而塑封可控硅又可分为带散热片型和不带散热片型两种。

3、按照引脚和极性分类。

可控硅按照引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

可控硅模块的防护措施:过电压保护

可控硅模块的防护措施：

过电压保护。

过电压可能会导致可控硅模块击穿，主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或者可控硅在导通与截止间的转换，对过电压保护可采取以下两种保护措施：

1、阻容保护。

阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅电路中的一种过电压保护方式，其实质就是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使得耗能元件的特性，将过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻将这部分能量消耗掉。

2、硒堆保护。

可以说，可控硅模块在弱点面前，还是比较容易损坏的，用户一定要注意做好以上保护措施。