半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。光电器件主要有：利用半导体光敏特性工作的光电导器件、利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。然而如果只是单纯的产生自由电子与空穴，将会因为摩擦及碰撞等因素失去能量，***自由电子会与空穴复合而无法利用。一、 光电导器件半导体材料的光敏特性，即当半导体材料受到一定波长光线的照射时,其电阻率明显减小,或说电导率增大的特性。这个现象也叫半导体的光电导特性。利用这个特性制作的半导体器件叫光电导器件。

3、光电三极度管光电三极管的结构与普通三极度管相同,但基区面积较大,便函于接收更多的入射光线。入射光在基区激发出电子----空穴时，形成基极电流，而集电极电流是基极电流β倍，因此光照便能有效地控制集电极电流。染料分子吸收光子能量后将使半导体中的带负电的电子和带正电的空穴分离。光电三极管比光电二极管有更高的灵敏度。二、光伏打器件----硅光电池半导体PN结在受到光照射时能产生电动势的效应，叫光伏打效应。硅光电池就是利用光伏打效应将光能直接换成电能的半导体器件。

硅光电池就是一个大面积PN结。光照可以使薄薄的P型区产生大量的光生载流子。显然,给耦合器输入一个电信号，发光器件就发光,光被光接收1器件接收后，又转成换成电信号输出。这些光生电子和空穴，会向PN结方向扩散。扩散过程中，一部分电子和空穴复合消失,大部分扩散到PN结边缘。在结电场的作用下，大部分光生空穴被电场推回P型区而不能穿越PN结；大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越PN结，到达N型区。随着光生电子在N型区的积累及光生空穴在P型号区的积累，会在在PN对的两侧产生一个稳定的电位差，这就是光生电动势。