化学镀镍的不断发展归结于该技术具有良好的工艺性

化学镀镍的不断发展归结于该技术具有良好的工艺性，镀层具有的物理、化学和机械性能，而且工艺设备简单，易于控制和掌握，镀层均匀平整，适用于复杂形状零件，这些都是电镀技术所不具备的。目前就大多数化学镀镍工艺来看，其镀覆通常在85-95℃的高温下操作，镀液蒸发快，能量损耗大，次磷酸钠利用率低，pH值变化快，镀覆工艺控制困难。另一方面，高温下操作对有些材料（如塑料等）施镀会造成基体的变形和改性，这些都影响了化学镀的进一步应用，因此，对低温化学镀镍工艺的研究是化学镀研究的一个重要方向。

QFP(QuadFlatPackage)构造的超小型化封装的

近年来，随着半导体输入端子数量的增加，基板向侧面端子的多腿化及信号线间距微细化的发展。多腿化的趋势使QFP(Quad Flat Package)构造盘间的节距狭小化制造的难度增加，特别是面阵列端子（面端子）化的需要，BGA(Ball Grid Array)构造的超小型化封装的开发。超小型化封装端子的表面处理的外部引出线需要增加适合的化学镀金/化学镀镍。化学镀金或电镀金的工艺方法比较而言，对于独立的电路图形上表面处理是适用的，镀层的厚度可以根据需要增加，这一点是非常有利的。

镀层发暗、发黑的原因分析

镀层发暗、发黑的原因

镀 层发 暗 多数 出现 在低 电流 密度区 ( 零件 深 凹处 ) ，偶尔也有出现在中电流密度区或高电流密度区。

( 1 ) 低 电流 密度 区镀 层发 暗 ，可能是镀 液温度太高 ，电流密度太小，主 盐浓度 太低 ，二次光 亮剂过多或镀液中有铜 、锌等 异金属杂质所 引起的。

( 2 ) 中 电流密度 区镀 层发暗 ，可 能是 由二次光亮剂太少 ，有机杂质过多或有一定量 的铁杂质 所造成的。

(3 ) 高 电流 密度 区镀层 发暗 ，可能 是镀液pH值太高 ，一次光亮剂太少或镀液 中有 少量 的铬酸 盐、磷酸盐及铅杂质所引起的。

(4 ) 镀前 处理 不 良，镀 件表面 有碱膜 或有机 物吸附膜 ，或者底镀层 不好 ，也会导致镍层 出现 发暗的现 象。

分析这类故障，可以取镀镍液先做霍尔槽试验 ，假使 多次试验 ，霍尔槽的阴极样板上镀层状况 良好 ，没有 出现发暗 的现象 ，那么 电镀时 出现 的故障可能是镀前处理不良或底镀层不好所造成的，应该认真检查电镀前的情况。若霍尔槽试验所得阴极样板上出现低电流密度区镀层发暗，则可以根据前面提到的可能原因进行分析。

中、高 电流 密度区镀层发暗 ，也 可用类似的方法进行试验。如果 光亮镀 镍层 整个工件都不光 亮，究其 原因无非是 ：镀 液 中光亮剂 不足 ；镀液 的pH 值 不适 当 ：镀液温度太低 ：阴极 电流 密度太小 ；金属杂质和有机杂质干扰严重；工件基体太差，本身太粗糙。由于故障的原因较单一，一查就知。因此，排除其故障也很简单 。

通常铜导体图形是采用以次亚磷酸盐作还原剂化学镀镍,而铜与次亚

通常铜导体图形是采用以次亚磷酸盐作还原剂化学镀镍，而铜与次亚磷酸氧化反应是没有催化活化行为的，这就需要采用钯作为催化剂。该工艺方法就是将基板浸入稀的钯溶液，当铜导体图形上浸有催化剂钯后，就可以实施化学镀镍的工艺程序。但是，对于超高密度配线的基板该工艺方法是否适用，还要看对钯催化剂的选择，因为当基板浸入催化溶液时，导体图形间的树脂上也会同时吸附，化学镀镍过程中会沉积在图形间的树脂上面，这样一来就会产生质量问题。