作为工业上批量生产碳化硅的技术，已知一种方法，将含硅(Si)的硅酸质原料(例如硅砂)和含碳的碳质原料(例如石油焦)作为原料，在艾奇逊炉中以1600°C以上的条件进行加热，由此通过直接还原反应来制造碳化硅。在以往以来所进行的这种利用艾奇逊炉的制造中，原料中杂质含有率高，难以进行杂质的控制，因此无法制造高纯碳化硅粉末。

因此，提出了对纯度低的碳化硅粉末进行高纯度化的方法。

而50碳化硅与[O]直接反应时，其脱氧能力要比硅铁粉与[O]反应的脱氧能力强。从动力学讨论，用碳化硅脱氧的产物中除和硅铁粉脱氧时一样产生SiO2外，同时还伴有CO气体产生，生成的CO气泡在上浮过程中对炉渣产生搅拌作用，使渣层活跃，促使了反应界面的更替，加快了氧在洛中的传质速度，从而有利于使整个脱氧过程速度加快，获得比硅铁粉脱氧更好的动力学条件。

这些夹杂物通常具有一些特定的形态，例如氧化铝通常为点簇状，而通过碰撞、聚集等又可进一步形成三维点簇状。而65碳化硅夹杂物通常为球形或者聚集成点族状等。为了地除去杂质，传统高纯钢的炼钢流程是：转炉吹氧冶炼、底吹钢包精炼、VD炉真空脱气、连铸拉圆坯，但这些流程步骤都可在炼制过程中产生大量的硅类和铝类氧化物，需要在后续工艺中将这些铝类和硅类氧化物加以去除，但另一方面，此种去除的代价非常高昂，而且只能除去部分杂质而非全部。

当坯体在炉内受热时坯体周围的Si熔融，渗入到坯体的毛细管中同坯体中的C反应生成SiC。产生的SiC逐渐填充坯体中的孔隙，并把原有的α-SiC连结起来，达到制品的致密化，并获得强度。由此可见，碳化硅的制备过程离不开碳源。碳源的选项有石墨、炭黑、树脂等，其中炭黑是使用历史较为长久的一种。但在实际应用中，炭黑的用量也需讲究一个度，加多加少都会对碳化硅的组织与性能造成极大的影响，因此许多研究员开始对其适宜用量展开了研究