二次电子像的阴影效应不明显

这些不同细节的部位发出的二次电子数各不相同，从而产生亮暗不一的衬度。由于二次电子的能量小，用 E-T探测器检测时，仅需在其前面的栅网上加几百伏的正电位，常施加的电位为+250~+300V，即通过该电位就可把试样上发射出来的大部分二次电子吸引过来，所以二次电子像的阴影效应不明显。在二次电子探测器所对应的立体角内也能接收到相应的一小部分背散射电子，所以在二次电子像中也包含了一小部分背散射电子的信息，如图b中对应的背散射电子成分像的一些衬度信息也能在图a中反映出来，只不过图a中所显现的原子序数的衬度没有像图b中那么明显而已。

背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大

背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大，对于中等原子序数的元素来说，背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息，轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下，由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以，利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形貌像)，而且还可用于显示试样化学组分的组成特征(原子序数衬度像)，在一定的范围内能粗略进行定性分析试样表面的化学组分分布状况。

扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用

扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时，被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时，也可产生电子-空穴对、晶格振动 （声子）、电子振荡 （等离子体）。原则上讲，利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息，如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等。