二次电子像的分辨力优于背散射像

二次电子主要是来自于距试样表面1~10nm之间深度的亚表面（试样表面0~1nm之间深度发出的电子主要为俄歇电子），二次电子能量在0~50eV之间，平均能量约30eV，所以这些二次电子能很好地显示出试样表面的微观形貌。由于入射电子仅经过几纳米的路径，还没有被多次反射和明显扩散，因此在入射电子照射的作用区内产生的二次电子区域与入射束的束斑直径差别不大，所以在同一台电镜中二次电子像的分辨能力。二次像的分辨力优于背散射像，背散射像的分辨力优于吸收电流像，吸收电流像的分辨力优于阴极荧光像。目前场发射和钨阴极电镜的二次电子像的分辨力都能分别优于1.0nm和3.0nm。一般情况下，扫描电镜的指标中所提及的图像分辨力，若没有特别说明，都是泛指二次电子像的分辨力。

背散射电子像具有下列基本性质和特点

背散射电子像具有下列基本性质和特点：

（1）其成像信息主要来自于返回试样表面的原一次电子，大部分电子的能量基本接近于原入射电子的能量。

（2）由于入射电子在试样中产生背散射电子的区域比二次电子的区域深、范围大，故背散射电子像的几何分辨力远不如二次电子像，对于中等或以上元素的分辨力与二次像相比约差2.5倍以上。

（3）由于背散射电子的能量较大，故其出射方向基本不受试样表面弱电场的影响，而且类似于点光源的形式以直线方式沿其径向轨迹散射开来。因此，只有出射方向正对着探测器的背散射电子才可以进入探测器中。当背散射探测器的有效面积所覆盖的立体角越大时，其接收效率越高，信噪比也越好，图像分辨力越能得到改善。

国产台式扫描电镜采用钨灯丝电子

国产台式扫描电镜采用钨灯丝电子，加速电压在1-15kV范围内连续可调，搭配二次电子探测器、背散射电子探测器、集成式oxford能谱仪，同时满足形貌观测及元素分析需求。 当有电流流经灯丝时，阴极被直接加热，钨灯丝中的电子受热激发，在加速电场的作用下，电子定向发射。在正常的工作温度下，电子从大约100um×150um的面积发射离开“V”形阴极。当阴极的发射温度增加时，其发射电流以指数的方式快速增长，使得束斑亮度大增。