二次电子像的分辨力优于背散射像
二次电子主要是来自于距试样表面1~10nm之间深度的亚表面(试样表面0~1nm之间深度发出的电子主要为俄歇电子),二次电子能量在0~50eV之间,平均能量约30eV,所以这些二次电子能很好地显示出试样表面的微观形貌。由于入射电子仅经过几纳米的路径,还没有被多次反射和明显扩散,因此在入射电子照射的作用区内产生的二次电子区域与入射束的束斑直径差别不大,所以在同一台电镜中二次电子像的分辨能力。二次像的分辨力优于背散射像,背散射像的分辨力优于吸收电流像,吸收电流像的分辨力优于阴极荧光像。目前场发射和钨阴极电镜的二次电子像的分辨力都能分别优于1.0nm和3.0nm。一般情况下,扫描电镜的指标中所提及的图像分辨力,若没有特别说明,都是泛指二次电子像的分辨力。
电磁透镜有聚光镜及物镜两种
通常,电磁透镜有聚光镜及物镜两种:聚光镜是电子向样品移动时遇到的个透镜。该透镜在电子束锥再次打开前使电子束会聚,并在撞击扫描样品之前由物镜再次会聚。聚光镜决定了电子束的大小(这决定了分辨率高低),而物镜的主要作用是将电子束聚焦到样品上。它的透镜系统还包含扫描线圈,用来对样品表面进行栅网式扫描。很多时候,会将光阑与透镜相结合来控制电子束的大小。
首先在扫描电镜窗口下找到感兴趣的样品区域,其次在能谱软件窗口对样品区域进行点、线或面扫描,即可获取样品区域的元素种类、分布及含量百分比。
扫描电子显微镜SEM参数
扫描电子显微镜SEM 基本参数
放大率:通过控制扫描区域的大小来控制放大率的。如果需要更高的放大率,只需要扫描更小的一块面积就可以了。放大率由屏幕/照片面积除以扫描面积得到
场深:扫描电子显微镜SEM中,位于焦平面上下的一小层区域内的样品点都可以得到良好的会焦而成象。这一小层的厚度称为场深,通常为几纳米厚,所以,SEM可以用于纳米级样品的三维成像。
工作距离:工作距离指从物镜到样品高点的垂直距离。如果增加工作距离,可以在其他条件不变的情况下获得更大的场深。 如果减少工作距离,则可以在其他条件不变的情况下获得更高的分辨率。通常使用的工作距离在5毫米到10毫米之间。
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