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真空镀膜工艺与您分享pvd镀膜化学组分上的均匀性：

就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产生不均匀特性，SiTiO3薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面的组分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。

真空镀膜工艺与您分享与之对应的化学气相沉积（Chemical Vapor Deition）简称为CVD技术。行业内通常所说的“IP”（ion plating）离子镀膜，是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用，为了强调离子的作 用，而统称为离子镀膜。真空镀膜是一种产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术用于生产激光唱片（光盘）上的铝镀膜和由掩膜在印刷电路板上镀金属膜。在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀.蒸发镀膜 通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

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PVD磁控溅射原理

三种主要PVD镀膜涂层的原理 金属表面处理 原理 -3

PVD磁控溅射原理如图所示，在高真空状态下导人工艺气体，并在电极的两端加上高电压后，产生火花放电。此时等离子体中的正离子在电场的作用下撞击靶材溅射出靶材的金属原子。工作压力一般为1.0e-1~1.0Pa，溅射电压300-600V平行于靶材表面的磁感应强度为0. 04-0.07T。