银芝麻重防腐涂料——山东金芝麻环保

第三代半导体材料，主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言，在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。

碳化硅早在1842年就被发现了，直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法，1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场，21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。

与硅相比，碳化硅具有更高的禁带宽度，禁带宽度越宽，临界击穿电压越大，高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度，制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍，高压条件下能高频操作，所需的驱动功率小，电路能量损耗低。具有高热导率，可减少所需的冷却系统，也更适用于高功率场景下的使用，一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行，器件虽然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作温度可达600℃，具有很强的耐热性。并且混合SIC器件体积更小，工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高，体积减小。

目前，吸波材料在各个领域中的应用越来越广泛。尤其在领域，为了加强自身建设，通常将吸波材料涂层应用于战斗表面，以达到“隐身”的目的。吸波材料在装备力量与电子科技中占据重要地位。

在国际上，美国对吸波材料作为“隐身材料”的应用已经较为成熟，例如，美国将吸波性能良好的碳化硅材料作为涂层涂于***表面，减弱目标向外散发的雷达特征与红外线等，使得敌军无法检测到目标，从而在中占据优势 [1-2]。在海湾和科索沃，人们都可以看到有关“隐身材料”的应用经验。因此，吸波材料作为“隐身”技术的应用越来越重要，为增强我国***实力，建设事业，必须对吸波材料进行深入研究与应用。

较为常见的吸波材料为碳化硅，可以用于一些电子设备、屏蔽设备等，尤其在信息化中，可以减弱目标的光电特征、红外信号等 [3]。碳化硅作为吸波材料，分为不同的类型，如铁磁金属微粉吸波材料、铁氧体吸波材料、纳米吸波材料、多晶铁纤维吸波材料、陶瓷吸波材料、导电高聚物吸波材料。本文就通过试验研究碳化硅涂层的吸波性能，以期为事业作出贡献。

碳化硅的原料有石英砂、石油焦等，又叫金刚砂，化学结构为六方形晶体，通常比重为 3.2，硬度较大，平均为3000kg/mm2。碳化硅具有很多优点，如导热系数高、膨胀系数小、体积小和强度高等。碳化硅涂层被电磁波影响，从而产生感应电流，应电流易受电磁场影响改变方向，同时由于材料的高电阻阻碍，电磁波的能量会变为热量散失，即能量消耗，这样雷达等电子设备的信号大大减弱，这种现象称为吸波性能。

不同类型的碳化硅材料具有不同的吸波能力。例如，异形截面的碳化硅与边界规则的碳化硅截面具有不同的吸波性能，不同碳化硅的表面曲率不同，其电荷聚集的能力也不同，通常曲率较小则容易聚集电荷。另外，不同厚度的涂层对吸波性能也有不同的影响。