以SAW滤波器为例，金球倒装真空覆膜成腔技术具有低成本、***、微型化和***率特点，约70%的SAW产品采用金球倒装技术。芯片边缘留给封装的空间只有200μm，UBM直径90μm，芯片厚度150~200μm，整体封装厚度<550μm。SAW滤波器具有工作频率高、通频带宽、选频特性好、体积小和重量轻等特点，其小型片式化是移动通信和其他便携式产品提出的基本要求。由于是非气密封装芯片上需镀有一层薄的无机钝化层，以防止铝结构发生腐蚀。

声表面滤波器是利用压电陶瓷、铌酸锂、石英等压电晶体振荡器材料的压电效应和声表面波传播的物理特性制成的一种换能式无源带通滤波器，它常用于电视机和录像机中频放大器的输入吸收回路和多级调谐回路。

特点：声表面滤波器技术能实现电子器件的超小型化设计灵活性高有很好的一致性、重复性及极高的温度稳定性抗辐射能力强，动态范围很大，可达100 dB

2、电性能：中心频率 10MHz ～ 2GHz相对带宽 0.03% ～ 60%插入损耗 1 ～ 35dB阻带抑制 -35 dB ～ -

　　BAW器件所需的制造工艺步骤是SAW的10倍，但因它们是在更大晶圆上制造的，每片晶圆产出的BAW器件也多了约4倍。即便如此，BAW的成本仍高于SAW。苏州捷研芯在SAW滤波器封装方面有深入的研究，可与客户一起合作开发此类产品，目前已与客户合作开发出1814、1411和1109等SAW产品。然而，对一些分配在2GHz以上极具挑战性的频段来说，BAW是唯i一可用方案。因此，BAW滤波器在3G/4G智能手机内所占的份额在迅速增长。

在BAW-SMR滤波器底部电极下方使用的声反射器使其在FBAR面临挑战的频段拥有优化的带宽性能。反射器使用的二氧化硅还显著减少了BAW的整体温漂，该指标远好于BAW甚至FBAR所能达到的水平。在微波频率，BAW可实现的Q值、在可比体积下、比任何其它类型的滤波器都高，可达：2500@2GHz。由于谐振器位于结实的材料块上，其散热比FBAR好得多，后者采用一个膜，仅能通过边缘散热。这使得BAW器件可实现更高的功率密度，不久就会有可用于小蜂窝基i站应用10W级器件的问世。