视网危险区之外的电磁波,包括紫外线和长波红外线(Far infrared),则可能使眼睛的前方部分受伤。有些波段会伤害水晶体(Lens),295nm至320nm以及1μm至2μm的辐射尤其严重。波段相当广的紫外线,以及波长大于1400nm的红外线,可能伤害膜。只伤及膜表皮时,一两天内就能修复,而使视力完全恢复。如果膜的较深层部位发生显著伤害,会造成膜瘢痕(Corneal scar),而导致失明。
红外线的组织穿透深度(Penetration depth)方面,1,440 nm(如某些半导体激光)、1,540 nm(如铒-玻璃激光)、2,100 nm(如钬-雅克激光)均大于10,600 nm(二氧化碳激光),所以者造成性伤害的危险性比较高[1]。308 nm的氯化氙(XeCl)激光束,会使水晶体立即产生(Cataract),所以还具有额外的危险性。(Argon)、离子(Krypton)、KTP倍频(Double frequency)、铜蒸汽(Copper vapor)、金蒸汽(Gold vapor)、氦(Heliun-Neon)、钕-雅克(Nd:YAG)等激光,对于视网都具有潜在危险性。铒-雅克(Er:YAG)、铒-氟化钇锂(Er:YLF)、钬-雅克(Ho:YAG)、(HF)、二氧化碳(CO2)、(CO)等激光,则对膜有危险性。
碱性蚀刻液一般适用于多层印制板的外层电路图形制作,这种蚀刻方法在线路板制作中应用非常广泛,特别是图形电镀,这是较好的蚀刻方法之一。同时碱性蚀刻速度快,侧蚀刻小,溶铜量大,蚀刻液可以再生连续使用。
碱性CuCl2蚀刻液主要是由CuCl2和NH3-H2O组成,在CuCl2溶液中加入NH3-H2O会发生如下络合反应:CuCl2+4NH3-H2O=[Cu(NH3)4]Cl2+4H2O,在蚀刻机药箱内,铜被[Cu(NH3)4]2+络离子氧化成Cu+。其氧化反应如下:[Cu(NH3)4]Cl2+Cu=2[Cu(NH3)2]Cl。生成的[Cu(NH3)2]+为Cu+的络离子,不具有氧化能力,在有过量NH3-H2O和Cl-存在的前提下,能很快被空气中的氧气所氧化,生产具有蚀刻能力的[Cu(NH3)4]2+。其络离子再生反应如下:
2[Cu(NH3)2]Cl+2NH4Cl+2NH3-H2O+1/2O2=2[Cu(NH3)4]Cl2+2H2O。
从上面的化学方程式可以看出,在蚀刻机工作过程中,每腐蚀1mol铜需要消耗2mol NH3-H2O和2mol NH4Cl。因此在腐蚀机蚀刻过程中,随着铜的溶解,应不断补充NH3-H2O和NH4Cl。
蚀刻速率:蚀刻速率慢会造成严重侧蚀。蚀刻质量的提高与蚀刻速率的加快有很大关系。蚀刻速度越快,板子在蚀刻液中停留的时间越短,侧蚀量越小,蚀刻出的图形清晰整齐。
4)蚀刻液的PH值:碱性蚀刻液的PH值较高时,侧蚀增大。峁见图10-3为了减少侧蚀,一般PH值应控制在8.5以下。
5)蚀刻液的密度:碱性蚀刻液的密度太低会加重侧蚀,见图10-4,选用高铜浓度的蚀刻液对减少侧蚀是有利的.
6)铜箔厚度:要达到侧蚀的细导线的蚀刻,采用(超)薄铜箔。而且线宽越细,
铜箔厚度应越薄。因为,铜箔越薄在蚀刻液中的时间越短,侧蚀量就越小。
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