不锈钢工件经酸洗和水冲洗后

可用含10％(质量分数)NaOH+4％(质量分数)KMnO4的碱1生高锰酸盐溶液在71～82℃中浸泡5～60min，以去除酸洗残渣，然后用水冲洗，并进行干燥。不锈钢表面经酸洗钝化后出现花斑或污斑，可用新鲜钝化液或较高浓度的擦洗而消掉。至终酸洗钝化的不锈钢设备或部件应注意保护，可用聚乙烯薄膜覆盖或包扎，避免异金属与非金属接触。

对酸性与钝化废液的处理，应符合环保排放规定。如对含氟废水可加石灰乳或氯化钙处理。钝化液尽可能不用重铬酸盐，如有含铬废水，可加还原处理。

酸洗可能引起马氏体不锈钢氢脆，如需要可通过热处理去氧(加热至200℃保温一段时间)。

6．不锈钢酸洗钝化质量检验

由于化学检验会破坏产品的钝化膜，通常在样板上进行检验。方法举例如下：

(1)硫酸铜滴定检验

用8gCuS04+500mLH20+2～3mLH2S04溶液滴入样板表面，保持湿态，如6min内不出现铜的析出为合格。

(2)高铁滴定检验

用2mLHCl+1mLH2S04+1gK3Fe(CN)6+97mLH20溶液滴在样板表面，通过生成蓝点的多少及出现时间的长短来鉴定钝化膜质量的好坏。

煮炉清洗工艺

1. 新建锅炉的除油钝化先用自来水对锅炉停止一次预冲刷。经过充水与排水铲除坠落的污垢，然后用软化水配成的含Na0I-I、Na3P04各2～3g／L的煮炉清洗液，注入锅炉至汽包中心水位，锅炉，熄灭升温至o·8MPa坚持8—10h。从下联箱排污阀将煮炉清洗液放净，再补偿上述的清洗液至汽包中心水位，加热升压至1~1.5MPa，坚持8～10h，然后将清洗液排净。再次补偿上述的清洗液至汽包中心方位，加热升压至2~2.5／VlPa，坚持8~10h。经过三期煮炉处置，即可抵达除油垢和健全钝化膜的企图。

2. 结垢锅炉的煮炉除垢 关于结垢的锅炉，要依据垢的详细状况制造不同的清洗液。对碳酸盐垢用2～3g／L

NaOH、20~30/LNa3P04组成的清洗液煮炉；硅酸盐垢用10～20g／L NaOH和5~10 g／L

Na3P04组成的清洗液煮炉；硫酸钙垢用10~20g／L Na2CO，和5～10 g／L

Na3P04组成的清洗液煮炉。以上均为以垢厚3ram的参考用药量，理论运用时应依据垢的理论厚度恰当增减。对锅炉停止水冲刷后，用清洗液注人锅炉至水位和中心水位之间的高度，熄灭加热升压至锅炉额定压力的50％，坚持10h，而且每隔2h在各下联箱底部排污1rain。结束次煮炉后，补偿相同的药剂至相同液位高度，加热升压至锅炉额定压力的75％，坚持10h，并每隔2h排污一次。完毕煮炉后熄火排污，终用水冲刷锅炉。

化学清洗浅谈传统串油和化学清洗管路工艺

1 化学清洗的具体步骤

在系统安装完毕，正确性、完整性及密性检验合格，按图2对系统改装完成后，可进行化学管路清洗，具体步骤如下：

(1) 对分离的各单元部件敞口均要进行有效封堵，以防赃物、异物等进入单元部件内部。

(2) 将中性除锈剂SN-100与淡水按一定比例配置好，然后临时通过注水柜将其加注到清洗管系系统内，加注期间应对管路进行适当放气，以使化学溶液完全充满整个管系。

(3) 启动临时化学清洗泵开始对管系进行循环清洗，清洗时间的长短取决于当时的环境温度，原则上为48 h左右。

(4) 清洗期间应保持临时化学清洗泵连续运转。

(5) 清洗期间应使用木锤(或者气动振动装置)对清洗管路进行连续敲击，以震落管内杂质从而提高清洗效率。

(6) 清洗期间应定期检查滤器，并视滤纸清洁程度及时予以更换。持续循环清洗直至滤纸一直保持清洁为止，然后将管系泄放干净。

化学清洗和安全知识

1 化学清洗

在半导体器件工艺实验中。化学清洗是指去除吸附在半导体、金属材料和器具表面的各种有害杂质或油渍。清洗方法是利用各种化学试剂和有机助熔剂，使吸附在被清洗物体表面的杂质和油类发生化学反应溶解，或辅以超声波、加热、真空等物理措施，将杂质除去。从要清洁的物体。表面解吸（或解吸），然后用大量高纯冷热去离子水冲洗，得到干净的表面。

1.1 化学清洗的重要性

工艺实验中的每个实验都有化学清洗的问题。化学清洗的质量对实验结果有严重影响。如果过程处理不当，将得不到实验结果或实验结果很差。因此，了解化学清洗的作用和原理对工艺实验具有重要意义。众所周知，半导体的重要特性之一是对杂质非常敏感。只要有百万分之一甚至少量的杂质，就会对半导体的物理性能产生影响。方法。各种功能半导体器件的制造。但也正是因为这个特点，给半导体器件的工艺实验带来了麻烦和困难。用于清洁的化学试剂、生产工具和水可能成为有害杂质的来源。即使是干净的半导体晶圆更长时间暴露在空气中也会引入明显的污染物。化学清洗是去除有害杂质，保持硅片表面清洁。