黑碳化硅中硅的测定

1、检测办法：硅的含量需要原子吸收检测，这种方法检测，数值较。

2、黑碳化硅检测需要颗粒分析仪。可以分析颗粒形状系数 圆度。

3、黑碳化硅径需要电阻法颗粒分析仪，这样的话。

4、微粉的主要分析检测方法：碳化硅中硅的含量决定碳化硅的硬度。碳化硅的粒径大小对线切割影响很大，但的是碳化硅的颗粒形状。因为线切割时碳化硅为游离状态切割颗粒的形状变化对切割效率及切割质量要重要影响。

黑碳化硅硬度介绍

      黑碳化硅的莫氏强度在9.2-9.5级，在模式硬度表当中，强度达到了9级。碳化硅也是介于刚玉与金刚石之间，机械强度高于刚玉的耐磨材料。且具有较好的耐磨性是作为磨料选择的材料。

　　黑碳化硅的工业制法是用石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。

　　在磨料模具当中强度高、耐磨性好才是模具选择的材料，砂轮耐磨不耐磨，消耗快与慢通过简单的测试即可获得较为准确的数据。

　　目前碳化硅的应用已经设计到：磨料模具、广泛切割液、耐火材料、炼钢辅料及工业地坪、陶瓷烧结等诸多领域。无论是强度、耐磨性、导热率、耐高温等方面都有着好的表现。

黑碳化硅氧化的原因

       黑碳化硅材料在普通条件下（如大气1000℃-2000℃）具有较好的性能，这是由于在高温条件下，材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的扩散系数非常小，因此材料的氧化非常缓慢。材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。但在某些条件下，如在足够高的温度下或较低的氧分压下，SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀，这将导致材料被快速氧化，即产生活性氧化。而硅材料在使用过程中经常会遇到这种环境。到目前为止，对材料在高温、氧化气氛中，硅材料表面会生成致密的SiO2膜，它的反应为：

　　SiC+3/2O2→ SiO2+CO

　　SiC+2O2 →Sio2+CO2

　　表层SiC到SiO2的转变导致材料的净重增加。这是惰性氧化的特性之一。但是研究表明，SiC的早期氧化产物为玻璃台态SiO2膜。随着氧化温度的升高，约800~1140℃，玻璃态SiO2膜发生晶化。相变将产生体积变化，这使得SiO2保护膜结构变得疏松，进而同黑碳化硅基体集合不牢。这样，其氧化保护作用骤减。另外，当黑碳化硅材料循环使用时，由于SiO2在500℃以下热膨胀系数变化较大，而基材的热膨胀系数变化不大，这样，保护膜与基材间热应力变化较大，保护膜易。对于空隙较多的制品，如氮化硅结合材料，会发生晶界颈部氧化，产生的SiO2导致晶界处体积膨胀，膨胀应力将会导致制品破坏：的惰性氧化会产生气体产物，这将产泡现象，使SiO2膜的氧化保护作用减小。

　　黑碳化硅出现氧化主要是由于高温或低氧分压的状况下导致其表层被外界侵蚀且发生反应，所以为了保证其使用效果就需要我们在使用时严格把控温度和环境等外界因素，从而确保材料的优良属性不会被破坏。

黑碳化硅微粉在电力电子中的应用

      黑碳化硅微粉在电力电子行业的发展，我们可以说一下碳化硅功率器件固态变压器这个例子，随着分布式发电系统、智能电网技术以及可再生能源的发展，固态变压器作为其中的关键技术受到广泛关注。

　　固态变压器是一种以电力电子技术为***的变电装置，它通过电力电子变流器和高频变压器实现电力系统中的电压变换和能量传递及控制，以取代电力系统中的传统的工频变压器。与传统变压器相比，具有体积小、重量轻等优点，同时具有传统变压器所不具备的诸多优点，包括供电质量高、功率因数高、自动限流、具备无功补偿能力、频率变换、输出相数变换以及便于自动监控等优点。固态变压器的输入侧电压等级非常高，一般在数千至数万伏，目前多采用拓扑或器件串联的方式，结构较为复杂。

　　黑碳化硅微粉在电力电子中的使用主要是器件的制造，它的使用可以使装置的性能更加稳定，简化了结构，提升了其可靠性，可以说是一种不错的材质，因为它使用在里面我们是看不到的，但我们在使用过程中就可以感受到其性能了。