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根据万用表示数分析，肖特基二极管测试结论如下（其中①②③为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码）:

一，根据①-②、③-②间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。

二，因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。

三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的允许值VFM(0.55V)。

为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。

　　【ASEMI讲解肖特基二极管的命名】

　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，

　　完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），

　　也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。

　　肖特基：Schottky

　　整流：Rectifier

　　SR:即为肖特基整流二极管

　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管，简称：SR,比如：SR107,SR10100CT……

　　势垒：Barrier

　　SB:即为肖特基势垒二极管

　　肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…

Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管，简称：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

　　因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。