数字IC验证综合知识

接口的强大功能：一是简化模块之间的连接；二是实现类和模块之间的通信。可以说接口的功能固然强大，但是问题又来了：

首先，因为事务交易处理器中的方法采用了层次化应用的方式去访问对应端口的信号，所以我们只能为两个相同功能的接口分别编写两个几乎一样的事务交易处理器，为什么呢？因为采用的是层次化的应用，假如设计中的某个引脚名字需要修改，我们只能修改驱动这个端口的方法！这样还是有点繁琐，那么sv中有了虚接口的概念，事情就会变得更加简单了！

到底是如何操作的呢？

虚接口和对应的通用方法可以把设计和验证平台分隔开来，保证其不受设计改动的影响。当我们对一个设计的引脚名字进行改动的时候，我们无须改动驱动这个接口的方法，而是只需要在例化该事务交易处理器的时候，给虚接口绑定对应连接的实体接口即可。以此来实现事务交易处理器的更大重用性。

虚接口的定义：

virtual interface_type variable;

虚接口可以定义为类的一个成员，可以通过构造函数的参数或者过程进行初始化。

虚接口应用的具体步骤：

到此，我们就可以在事务交易处理器中，编写针对该接口的通用方法（如request和wait_for_bus），只要针对虚接口进行操作就可以，而该虚接口不针对特定的具体器件，只有在事务交易处理器的对象例化创建时，根据具体传递给他参数确定。

I老化原因？C

为什么老化跟时间有关？

为什么电路速度会随时间原来越慢呢？因为断键是随机发生，需要时间积累。另外，前面提到的断裂的Si-H键是可以自己恢复的，所以基于断键的老化效应都有恢复模式。对于NBTI效应来说，加反向电压就会进恢复模式；对于HCI效应来说，停止使用就进入恢复模式。但是这两种方式都不可能长时间发生，所以总的来说，芯片是会逐渐老化的。

为什么老化跟温度有关？

为什么电路速度跟温度也有影响呢？温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高，电子运动越剧烈，Si?HSi?H键断键几率就大。

为什么加压会加速老化？

为什么加压有影响呢？同样的晶体管，供电电压越高偏移电压越高，偏移电压越高氢原子游离越快，等于压制了自发的恢复效应，自然老化就快了。

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ic的质量评估标准

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：

JESD22-A108-AEAJED- 4701-D101②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ）

目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力

测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试

失效机制：电子迁移，氧化层，相互扩散，不稳定性，离子玷污等

参考标准：

125℃条件下1000 小时测试通过IC 可以保证持续使用4 年，2000 小时测试持续使用8年；150℃ 1000小时测试通过保证使用8年，2000小时保证使用28年。

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

二、环境测试项目（Environmental test items）

PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test,Solder Heat Test

①PRE-CON:预处理测试（ Precondition Test ）

目的: 模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。

测试流程（Test Flow）:

Step 1:超声扫描仪 SAM (Scanning Acoustic Microscopy)

Step 2: 高低温循环（Temperature cycling ）-40℃(or lower) ~ 60℃(or higher) for 5 cycles to simulate shipping conditi

Step 3:烘烤（ Baking ）At minimum 125℃ for 24 hours to remove all moisture from the package

Step 4: 浸泡（Soaking ）