IC常见的问题

EM (electron migration，电子迁移)

“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。一般来说，综合完成后需要再次做验证（这个也称为后）逻辑综合工具：Synopsys的DesignCompiler，工具选择上面的三种工具均可。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而终使得IC报废。温度越高，电子流动所产生的作用就越大，其***破坏IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。

NBTI 、HCI、TDDB

这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。

罪魁祸首 ： SiOHSiOH

MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。适用于非IC卡应用，例如门禁卡、参赛证、门票，支付类校园一卡通，公交一卡通，企业一卡通**SM9非对称算法：**是基于对的标识密码算法，与SM2类似。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH，问题由此产生。

数字系统实时验证

在利用MP3C硬件平台的基础上搭建验证平台来实现对数字系统的验证,根据该系统的特点,完成了软硬件验证平台的构建和软件的配置。它与VCS一样采用了革命性的模拟技术，即在同一个模拟器中把节拍式模拟技术与事件驱动的模拟技术结合起来。该验证系统主要是由APTIX MP3C系统、Spartan-IIE FPGA和相应的EDA软件等组成。 主要对验证的整体方案以及系统各个模块的功能和实现进行了深入的分析。介绍了IC设计的流程和IC验证的重要性;并对MP3C的FPCB和FPIC等模块以及Spartan-IIE开发板的FPGA、I/O和接口等模块的性能和使用方法进行了详细说明。

然后提出了以MP3C为***的快速数字系统验证的硬件平台实现方法,其中激励产生和数据采集观察是通过在一块评估板中来实现;在EXPLORER软件中完成整个系统的搭建、FPGA的布局布线和FPCB的编译。所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是一段时间以后的问题。并且根据这一方法实现了对复杂数字系统FFT进行验证,后得出了正确的结果,证明这一方法是切实有效的。此方法能缩短IC开发周期,提高IC验证的效率,对将来IC发展来说很具有实际意义。

数字IC测试系统的发展

随着数字集成电路性能的不断提高,数字集成电路测试系统也相应得到了迅速发展。然而，在230℃~260℃的范围中的无铅工艺里，任何湿度的存在都能够形成足够导致破坏封装的小（爆米花状）或材料分层。主要表现在以下几方面: 测试通道数增加数字电路集成度的不断提高和***集成电路的出现,器件的引脚数不断增加,使得数字测试系统的测试通道数相应不断增加。由测试中、小规模集成电路的24通道测试系统,测试大规模集成电路的48通道、64通道测试系统发展到测试超大规模集成电路的128通道、256通道甚至更多通道数的测试系统。

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