地下位移测量方法及理论研究

地下位移监测是地质灾害预测、岩土工程项目质量安全评价的重要手段及研究热点。电阻的变化经电路处理后的以电信号的方式输出，这就是电阻应变片传感器的工作原理。它可以深入岩土体内部进行地下不同深度水平位移、沉降、倾斜方向等地质参数的动态监测,因此能准确检测地下位移形变信息,确定滑移面和变形范围,进而研究变形机制、成灾现状、发展趋势及防灾预报。

监测上的不可见和复杂性导致地下位移监测技术发展缓慢,存在精度差、成本高、非自动化或难于准确计算地下位移量等问题。本文提出了一种基于新型电磁式地下位移传感器组和GPRS无线网络的地下位移自动测量及远程监控方法,设计了水平型(Ⅰ型)和水平-垂直复合型(Ⅱ型)两款电磁式地下位移传感器。针对光感元器件长久以来面对的长距离对射、漫反射镜面反射等复杂的场景，M8101都能做到处理。针对这两款传感器进行了地下位移测量方法及相关理论的深入研究工作。综合考虑影响Ⅰ、Ⅱ型传感器传感特性的各种因素及相关参数,提出了三个具有较高计算精度且适合硬件实现的测量理论模型。

RTD传感器

当 一边测量RTD的电阻一边改变它的温度时，响应几乎是线性的，表现得像一个电阻器。如图1所示，该RTD的电阻曲线并非完全呈线性，而是有几度的偏差(示 出了一条用作参考的直线)-- 但却是高度可预测并可复验的。当铁磁层的磁矩互相平行时，载流子与自旋有关的散射，材料具有的电阻。为了对这种轻微的非线性进行补偿，大多数设计人员都会对测得的电阻值进行数字化处理，并使用微控制器内的查找表以便应用校正 因子。这种宽温度范围(大约-250℃至 750℃)内的可复验性和稳定性使RTD在应用(包括在管道和大容器内测量液体或气体的温度)中极为有用。

用 来处理RTD模拟信号的电路的复杂度基本上根据应用而变化。放大器和模数转换器(ADC)等组件(这些组件会产生它们自己的误差)是不可或缺的。只有当测 量必要时才给传感器供电 -- 通过该方法您也可实现低功耗运行，但这会使该电路复杂得多。磁电阻/超导复合式磁传感器作为一种新型的高灵敏度磁探测器，其探测精度目前已接近SQUID器件并已达到fT量级。而且，使传感器通电所需的功率还会提高其内部的温度，从而影响测量准确度。仅仅几毫安的电流， 这种自加热效应就会产生温度误差(这些误差是可纠正的，但需要进一步的斟酌考量)。另外，请谨记:线绕式铂RTD或薄膜RTD的成本可能相当高，尤其当与 IC传感器的成本进行比较时。

光电传感IC

光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。作为目前被广泛使用的磁场传感器之一的霍尔传感器,在精密测量、工业自动化及家用电器,特别汽车电子等领域得到了出色的应用。光电式传感器具有非接触、响应快、***等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。

M8101.是一款专门应用于光电感应测控领域，针对PLC/单片机。工控设备等光电应用控制芯片。芯片表面封合了高敏光信号接收管。发射管通过新品托内部调制，能够的避免误动作及环境光干扰。针对光感元器件长久以来面对的长距离对射、漫反射镜面反射等复杂的场景，M8101都能做到处理。而LiNbO3单晶的居里点高达1210℃，是制造高温传感器的理想压电材料。茂捷半导体工匠精神的支撑下面对数百万次的密集测试，在长距离对射、漫反射场景中M8101所表现的精度能超越国际厂商1.54代以上。并且M8101精简的外围器件设计。在此茂捷半导体沿用的超小封装QFN4*4的封装形式。使其能广泛的应用于各类及其苛刻的设计环境。

电子元器件种类

1.原装货：具备原厂原包装的产品，原厂生产出来的，如果是从厂家订的，就不用担心了。如果是从代理或者分销商订购还是需要注意一下。

2.散新货：散新这个词，主要用在IC芯片的方面，

3.翻新货：指产品从原厂生产出来以后，经过使用，有了一定的磨损，性能各方面跟原厂刚生产出来的时候有差距，经过特殊的加工，是它的外表或者性能恢复到接近原厂刚生产出来的状态，叫做翻新！

4.旧货拆机件：原厂生产出来的，已经使用过的，从电路板上拆下来的。没有经过洗角处理的。　

瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，***从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号产品原装zheng品。