IGBT的驱动电路特点（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。1反电势检测信号的获得无位置传感器无刷直流电动机的控制与有位置传感器无刷直流电机控制的根本区别就是利用反电势的波形寻找换向点。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

输出特性与转移特性：

IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。LCD的构造是在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体，两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线，透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向，将光线折射出来产生画面。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。

IGBT与MOSFET的对比：

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

主要优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。

用什么直流电机驱动芯片（四）

2.3 闭环调速系统

ML4428内部的调速系统是典型的直流电机PWM双闭环调速系统，如图4所示，在系统中设置两个调节器，分别调节转速和电流，二者之间实行串级联接，即以转速调节器的输出作为电流调节器，再用电流调节器的输出控制开关器件。随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。这样组成的双闭环系统，在突加给定的过渡过程中表现为一个恒值电流调节系统，在稳态和接近稳态运行中又表现为无静差调速系统，即发挥了转速和电流两个调节器各自的作用，又避免了像单环系统那样两种反馈互相牵制的缺陷，从而获得良好的静、动态品质。

2.4 内部保护电路

ML4428内部具有电流检测和限流功能。压降比较大或知者驱动电流大的时候，线性的功耗大，效率低，开关的功耗小，。外部功率元件MOSFET的源极电流流过RSENSE得到与电动机绕组电流成正比例的电压，经环路滤波器(该滤波器能滤除触发单稳电路的噪声尖峰电流，一般选样在时间常数300ns以内)到电流比较器的正端(ISNS引脚)，比较器的负端有钳位电压为0.5V的二极管，因此可以限制电机定子电路的峰值电流为10A时，则RSENSE=0.5/10=0.05Ω。当电流检测电路的电压高于比较器负端电压时，单稳态电路被触发，关断输出MOSFET，电流下降，直至单稳电流被复位。

ML4428正常电源供给为+12V，在电源低于8.75V时，6个输出驱动器将全部关断。

什么叫液晶显示屏的电力学特点

电力学特点：液晶显示屏分子结构为长细杆状构造，增加轴方位有旋光性(Dipole)，也就是这个分子结构的一端带正电荷一端带负电荷，因此大家对这一液晶显示屏分子结构加工作电压能够使它产生偏移。

如下图试验，2个平行面玻璃正中间添加液晶显示屏，两边再加工作电压，当【不用工作电压】和【加工作电压】时，液晶显示屏分子结构会各自【躺】在玻璃上或【站】在玻璃上。

无线充电芯片组成

从结构上看，无线充电发射端芯片主要由驱动芯片、MOS芯片和主芯片三部分组成。在《标准化工作导则第2部分：标准中规范性技术要素内容的确定方法》的”5．4．3由供方确定的数值“中提及：“如果允许产品存在多样化，则产品的某些特性值可不必做出规定（尽管这些特性对产品的性能有明显的影响）”。单片机方案下，控制芯片、驱动芯片、运放全部独立，外围元件也相当多，总而言之，非常复杂，元器件太多。原材料品种繁多，生产试验流程复杂，不利于产品的快速开发、生产和销售。

即Systemonachip，它是指在一块芯片上集成一个完整系统。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。当前对SoC方案的一些比较常见的定义是：SoC即主控制和驱动集成。但是也有声音表示这种说法并不准确，主控、驱动、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定义，暂且先以种表述为准。