数字IC密码算法介绍

数字IC密码算法主要分三类：对称算法、非对称算法、杂凑算法。

SM1对称密码算法：一种分组密码算法，分组长度为128位，密钥长度为128比特。

主要产品有：智能IC卡、智能密码钥匙、加密卡、加密机等安全产品。

SM2椭圆曲线公钥密码算法（非对称）：一种椭圆曲线公钥密码算法，其密钥长度为256比特。

SM3杂凑算法：一种密码杂凑算法，其输出为256比特。

适用于SM22椭圆曲线公钥密码算法中的数字签名和验证。

SM4对称密码算法：一个分组算法，用于无线局域网产品。

SM7对称密码算法：一种分组算法，分组长度为128比特，密钥长度为128比特。

适用于非IC卡应用，例如门禁卡、参赛证、门票，支付类校园一卡通，公交一卡通，企业一卡通

**SM9非对称算法：**是基于对的标识密码算法，与SM2类似。区别于SM2算法，SM9算法是以用户的标识（例如：、邮箱等）作为公钥，省略了交换数字证书公钥过程。

适用于云存储安全、物联网安全、电子邮件安全、智能终端保护等。

IC常见的问题

EM (electron migration，电子迁移)

“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。电路中三极管的作用和工作区域不同数电：三极管作为开关使用且工作在截至和饱和区。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而终使得IC报废。温度越高，电子流动所产生的作用就越大，其***破坏IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。

NBTI 、HCI、TDDB

这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。

罪魁祸首 ： SiOHSiOH

MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。uRegion(III)被称为磨耗期（Wear-Outperiod）在这个阶段failurerate会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH，问题由此产生。

大功率模拟集成电路

随着集成电路产业快速发展,集成电路的集成度越来越高,内部结构也越来越复杂,对于测试的要求也越来越高。集成电路测试技术作为保障集成电路性能、质量的重要技术之一也得到了很快的发展。直流参数测试是集成电路测试技术的重要组成部分,能够快速有效的检测芯片的性能,受到集成电路测试行业的高度重视。举个栗子：（101）?=1×22+0×21+1×2?=（5）??，这个二进制数第2位是1，它的权重是22，相乘为1×22。实现了一种大功率直流参数测试的研制,可以实现高电压、大电流的直流参数测试,具有很高的测试精度,而且具有一定的通用性。 

首先根据文献资料分析本课题研究的背景以及意义,介绍了集成电路测试系统组成、分类以及国内外的发展状况。介绍了集成电路直流参数测试的基本原理与方法,在此基础上分析了大功率模拟集成电路直流参数测试的设计需求,提出了设计需要实现的功能与设计指标,构建了大功率模拟集成电路直流参数测试实现的原理方案;设计了接口控制模块、逻辑控制模块与精密测量单元,详细分析了精密测量单元的工作原理,并搭建了具体的硬件电路;根据硬件所需要实现的测试功能,设计了测试底层驱动函数,提供给应用软件测试函数接口实现可编程测试,并对测试进行了软件校正;后文章给出了功能测试数据与报告,分析了集成运算放大器的测试原理和方法,并给出了测试过程与测试数据,表明测试性能达到了比较好的效果。电路的输入、输出信号的类型不同数电：工作信号是数字信号“0”“1”，且信号的幅度只有高低两种电平，数值上是离散的。设计的大功率模拟直流参数测试模块,已经被广东某集成电路制造企业使用,使用效果表明测试模块性能稳定,通用性强,成本低,特别适合国内集成电路企业的应用,具有比较高的实用价值。          

驱动Ic综合的过程有哪些？

转换：将HDL/VHDL的描述，转换成独立于工艺的寄存器传输级（RTL）网标，其中这些RTL模块之间通过连线，实现互通互联。

映射：在综合环境中，目标工艺库（例如：TSMC40﹨TSMC22），将RTL级网标映射到目标工艺库上面，形成门级网标。

优化：设计人员添加相应的时序、面积约束。综合器以满足约束条件为目标，进行网标级别的优化。约束不同，然后得到的网标会不一样，并且，DC的合成策略是时序优先，所以只有在满足时序约束的基础上，才会进行面积的优化。现将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。如果经过优化，依然不能满足时序要求，则在后面时序报告中，将会出现时序违例的路径，在前端综合过程中，我们一般只考虑建立时间（setup time）。设计人员需要分析时序违例的路径，进行各种处理，直到满足建立时间约束。

瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，***从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。