大尺寸LCD驱动IC的特点

大尺寸LCD驱动IC的特点

，高电7a6431333365643535压工艺。模拟电路中电压越高，驱动能力越强，因此大尺寸LCD驱动IC采用高电压制造工艺，通常Source Driver IC为10~12V， Gate Driver IC更高，达40V。

第二，运行频率高。液晶显示器的分辨率越来越高，这就意味着扫描列数的增加， Gate Driver IC必须不断提高开关频率， Source Driver IC必须不断提高扫描频率。

第三，封装工艺特殊。LCD驱动IC通常绑定在LCD面板上，因此厚度必须尽可能地薄，通常采用高成本的TCP封装。还有特别追求薄的，采用COG封装，再有就是目前正在兴起的COF封装。

第四，管脚数特别多。Gate Driver IC少256脚， Source Driver IC少384脚。

第五，单一型号出货量特别大。驱动IC 单月平均出货量高达1.5亿片，而其中平均每个型号的出货量达差不多在300万片左右。2、系统振荡器cms1621系统时钟用来产生时基/wdt电路的时钟、lcd驱动时钟和蜂鸣频率。LCD 的构造是在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体，两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线，透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向，将光线折射出来产生画面。

igbt驱动电路的简介

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signalcircuits），如类比/数位转换器（Analog-to-DigitalConverter,ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。目前用的的一个H桥驱动芯片zd：L928N，这个芯片是很简单，很便宜，而且很容易买到，一个芯片里面就集成了2路的H桥电路，还带PWM控制和电流采集。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

用什么直流电机驱动芯片（四）

2.3 闭环调速系统

ML4428内部的调速系统是典型的直流电机PWM双闭环调速系统，如图4所示，在系统中设置两个调节器，分别调节转速和电流，二者之间实行串级联接，即以转速调节器的输出作为电流调节器，再用电流调节器的输出控制开关器件。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。这样组成的双闭环系统，在突加给定的过渡过程中表现为一个恒值电流调节系统，在稳态和接近稳态运行中又表现为无静差调速系统，即发挥了转速和电流两个调节器各自的作用，又避免了像单环系统那样两种反馈互相牵制的缺陷，从而获得良好的静、动态品质。

2.4 内部保护电路

ML4428内部具有电流检测和限流功能。外部功率元件MOSFET的源极电流流过RSENSE得到与电动机绕组电流成正比例的电压，经环路滤波器(该滤波器能滤除触发单稳电路的噪声尖峰电流，一般选样在时间常数300ns以内)到电流比较器的正端(ISNS引脚)，比较器的负端有钳位电压为0.5V的二极管，因此可以限制电机定子电路的峰值电流为10A时，则RSENSE=0.5/10=0.05Ω。L9110是为控制和驱动电机设计的两通道推挽来式功率放大***集成电路器件，将自分立电路集成在单片IC之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。当电流检测电路的电压高于比较器负端电压时，单稳态电路被触发，关断输出MOSFET，电流下降，直至单稳电流被复位。

ML4428正常电源供给为+12V，在电源低于8.75V时，6个输出驱动器将全部关断。

电力MOSFET一般由PWM或其他方式的控制器IC内部驱动源驱动，为提高关断速度，实现快速关断以降低关断损耗以提高系统效率，在许多ACDC电源、手机充电器及适配器的驱动电路设计中，通常采用图1所示的驱动电路，采用适当的开关开关电阻和栅极下拉PNP管。MOSFET的栅极输入电阻***大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loadingeffect）。有些大功率ACDC电源有时为了提高驱动能力，在外部采用了两根管子组成的图腾柱。