电容位移传感器又称为线性传感器，是一种属于金属感应的线性器件，传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量。在生产过程中，位移的测量一般分为测量实物尺寸和机械位移两种。按被测变量变换的形式不同，位移传感器可分为模拟式和数字式两种。模拟式又可分为物性型和结构型两种。常用位移传感器以模拟式结构型居多，包括电位器式位移传感器、电感式位移传感器、自整角机、电容式位移传感器、电涡流式位移传感器、霍尔式位移传感器等。3、调频干扰和静电干扰都有可能让直线位移传感器的电子尺的显示数字跳动的。数字式位移传感器的一个重要优点是便于将信号直接送入计算机系统。

传统电容式传感器，会从电极侧面散发磁力线。这中磁场会导致错误的测量结果。德国米铱的电容式传感器带有一个接地屏蔽环，可以有效减少侧面磁场和边界效应，从而得到更加准确的测量结果。从接地屏蔽环发出的磁力线不会影响测量结果。

高的精度测量

电容式测量原理是几种精度的测量原理之一。但是问题是，如此微小的测量距离会导致测量信号变化同样微小。也就是说，在探头和被测物体之间仅有很少量的电子可以用来显示距离的变化。这意味着，如果有很小的漏电流或寄生电流流过探头到控制器的电路，也会影响测量结果的准确性。因此，探头到控制器之间的电缆需要特殊的双屏蔽电缆。这种特殊的，全封闭的RF电缆保证了高信号质量。无接触的位移传感器，是对基于电位技术的位移传感器的革命性改进，相比于过去复杂的应用，采用磁致伸缩技术的位移传感器，无论在界面还是性能上，都有很大提升。双屏蔽电缆与接地磁屏蔽技术的使用，使高的精度测量成为可能。

电容上的任何压力差导致隔膜在压力的方向上弯曲。传感膜片是精密制造的弹簧元件，其位移是所施加力的可预测函数。在这种情况下施加的力只能是根据标准的方程式F = PA作用在隔膜表面区域上的压差的函数。

在这种情况下，我们有两个由两个流体压力相互作用引起的力，所以我们方程可以重写，以描述作为压差（P1 - P2）和膜片面积函数的合力：F = （P1 - P2）A。由于隔膜面积是恒定的，并且力可预测地与隔膜位移有关，所以可以计算差压是准确地测量隔膜的位移。动尺相对于定尺移动时，电容周期变化，产生的脉冲信号通过电路转化放大及芯片计算得到位移值的变化，并显示出来。

隔膜的二次功能是作为两个电容器的一个板提供了一种测量位移的便捷方法。由于导体之间的电容与它们之间的距离成反比，因此低压侧的电容将增加，而高压侧的电容将减小：

连接到该单元的电容检测器电路使用高频AC激励信号来测量两半之间的电容的不同，将其转换成DC信号，该DC信号成为表示压力的仪器输出的信号。

这些压力传感器具有高的精度，稳定性和坚固性。这种设计使用两个隔离膜片通过内部“填充流体”将过程流体压力传递到单个传感膜片 - 实心框架限制了两个隔离膜片的运动，使得任何一个都不能用力传感膜片超过其弹性极限。

如图所示，高压隔离膜片被推向金属框架，通过填充流体将其运动传递到传感膜片。如果对该侧施加太大的压力，则隔离膜片将仅“压扁”在电容的实心框架上并停止移动。这有效地限制了隔离膜片的运动，因此即使施加额外的过程流体压力，它也不可能在传感膜片上施加更多的力。电容式位移传感器电容位移传感器是一种非接触电容式原理的精密测量仪器。

应该注意的是，液体填充流体的使用是这种抗过压设计的关键。为了使传感膜片将所施加的压力地转换成比例电容，它必须不接触围绕它的导电金属框架。但是，为了保护隔膜免受过压，它必须接触固体止回器以限制进一步的行程。其中上、下硅片构成两个固定电极，中间的硅片通过化学刻蚀形成由柔性薄膜支撑的具有刚性中心质量块的形状，薄膜的厚度取决于该加速度传感器的量程。因此，对非接触（电容）和接触（过压保护）的需求是相互排斥的，使得几乎不可能用单个传感膜片执行这两种功能。