脉冲激光沉积系统配置介绍

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脉冲激光沉积系统配置：

生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。PLD450型脉冲激光镀膜介绍以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司***生产脉冲激光沉积，欢迎新老客户莅临。

脉冲激光沉积选件介绍

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，用户提供了类似于MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。

正确的设计是成功使用RHEED 和PLD 的重要因数

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD 采用较高的压力，差动抽气是必要的，

维持RHEED ***的工作压力，同时保持500 mTorr 的PLD 工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 的激光MBE 系统可以为用户提供在压力达到500 mTorr 时所需的单分子层控制。

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脉冲激光沉积发展前景

由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；样品传输室：不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度<。并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。

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