退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

红外线隧道炉程度送风方法，要紧适合于托盘烘烤的物件，风来自于兼职室双方，因此放在托盘烘烤结果会非常好。反之，如果用垂直送风方法，风由上而下吹出，托盘和高低层产物会把中心的热风盖住，造成中心烘烤结果差，达不到匀称的结果，铺张光阴和动力，还得不得好产物。

红外线隧道炉垂直高低送风方法，要紧适合于烘烤网架上的物件，风由高低吹出，由于是网架，因此高低通畅性会非常好，产物能够匀称的受热，比较于程度来说，更节减动力，服从更高。

第三，在对烘箱使用时，对里边放置的物件中间应当有一定的间距，它是为了物件在加工时有个更好地加温功效，此外对于排热板上不必储放任何东西，它是为了维持烘箱里的气流通畅。此外，对于烘箱的可用温度要掌握好。

终，为了维持烘箱有个很好的卫生环境，当烘箱运作完毕后，应当马上对烘箱内的残留物件进行及时的清除。

高温烘箱小知识：

1特性:

高温烘箱，通过有效的设计和不断的实验，促使高温下温度匀称性获得了很好的操纵，大大提高了产品的可靠性和实用性。

2、温度

客户根据自身产品的特点，测算好具体使用的温度规定，以确保烤制的效果。举例：1如果客户所烘产品使用单一温度段，资询时要注重表明。2如果使用温度是阶梯式提温的，举例需5段，段用三十分钟从常温下~100度，然后保温20分种；再从100度，用40分钟升温到300度，再保温多久再提温，依此类推。操纵上采用可控硅。

在炉顶安装隧道烘箱加热元件，提高热效率.烘箱设有电器控制柜，温度显控。在任何恒温状态下均可控制。出口可采用和100级洁净度净化的垂直层流来净化物料，使其处于严格无菌无尘状态。炉内保温层采用硅酸铝作隔热材料，保温效果好。

坑道烘箱为连续干燥设备，可持续不间断地烘烤，提高产品的生产效率。采用双侧链条传动，解决运输中跑偏现象。分段加热烤箱，独立电炉控制，操作简便。其结构主要包括输送系统和干燥炉两大部分。多级独立PID控温，炉温均匀；传动变频调速，调节自如，运转平稳，生产。