半导体封装形式介绍

3．3．5 封装晶片级封装CSP(Chip Scale Package)。几年之前以上所有的封装其封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来和以前封装的区别。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1．4或1．2的定为CSP。目前开发应用为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存件和逻辑器件。就目前来看CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百以上。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置，如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机等。

光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。刻蚀相对光刻要容易。如果把在硅晶体上的施工比成木匠活的话，光刻机的作用相当于木匠在木料上用墨斗划线，刻蚀机的作用相当于木匠在木料上用锯子、凿子、斧子、刨子等施工。

学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

刻蚀是半导体制造三大步骤之一刻蚀已经成为半导体晶圆制造中的关键步骤，在半导体制造中重要性凸显。半导体制造主要步骤包括光刻、刻蚀、以及薄膜沉积三大步骤，并且不断循环进行，以构造出复杂精细的电路结构。而这三个环节工艺的***程度也直接决定了晶圆厂生产高制程产品的能力，以及芯片的应用性能。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

半导体设备在工艺过程中会产生反应热或其他介质辐射、传导的热量。为保证工艺稳定或安全考虑会选择对腔体进行一定的温度控

制。水因获得容易，成本低，对环境无污染，换热率高等优点。通常用作加热或冷却的流体介质。以往的腔体水路多采用铜管或钢管等通过导热胶与腔体粘接。由于存在管壁材料、粘接材料及空气夹层等多层介质间的热传导，换热效率较低。在加工能力提升的今天,逐渐更改为采用机加工或焊接等方式实现的流体介质直接与腔体接触的水路方案。但在换热效率提高的同时也带来了新的问题。