虽然等离子刻蚀设备在集成电路制造中得到了广泛的应用，离子刻蚀设备但由于等离子刻蚀过程中的物理化学过程复杂，它是理论上模拟和分析等离子刻蚀过程的有效方法，但目前还没有。除蚀刻外，等离子技术已成功应用于其他半导体工艺，例如溅射和等离子化学气相沉积 (PECVD)。

产品寿命长，能耐高低温及高湿度等恶劣环境。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本，当然也有其它的因素如环保要求迫使他们改变封装型式。

反应离子刻蚀原理是将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频自偏压作用，等离子体中的正离子对被刻蚀材料，表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的。

清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

刻蚀设备作为半导体设备的中坚力量，有望先完成国产替代。半导体设备主要应用于半导体制造和封测流程，是半导体行业的基础。随着半导体制程的微缩和结构的复杂化，半导体刻蚀设备的种类和技术难度递增。从市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国比较具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比较高的重要半导体设备之一。