传统和现代应用中越来越多地采用MEMS技术，晶圆清洗序列中越来越多的关键步骤，对3D结构晶圆的需求增加，以及物联网应用中越来越多地采用硅基传感器、芯片和二极管，这些都推动了晶圆清洗机市场的增长。

晶圆清洗机指硅片晶圆生产清洗工艺中，用于去除硅片晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性的设备。

通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了zui低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，***的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。

刻蚀机主要分类：电容电感两种方式，优势互补刻蚀按照被刻蚀材料划分，主要分为硅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀。不同的刻蚀材质其所使用的的刻蚀机差距较大。干法刻蚀的刻蚀机的等离子体生成方式包括CCP（电容耦合）以及ICP（电感耦合）。而由于不同方式技术特点的不同，他们在下游擅长的应用领域上也有区分。CCP技术能量较高、但可调节性差，适合刻蚀较硬的介质材料（包括金属）；ICP能量低但可控性强，适合刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。

按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。干法刻蚀占主导地位。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀，利用等离子体与表面薄膜反应，形成挥发性物质，或者直接轰击薄膜表面市值被腐蚀的工艺。干法刻蚀的优势在于能够实现各向异性刻蚀，即刻蚀时可控制仅垂直方向的材料被刻蚀，而不影响横向材料，从而保证细小图形转移后的保真性。因此在小尺寸的***工艺中，已经基本采用干法刻蚀工艺。湿法刻蚀工艺主要是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，该刻蚀方法会导致材料的横向纵向同时腐蚀，会导致一定的线宽损失。