离子刻蚀设备在光刻胶涂层和光刻显影后，将光刻胶用作掩模，通过物理溅射和化学作用去除不需要的金属，从而得到与光刻胶图案相同的线条形状。目前，等离子刻蚀设备是主流的干法刻蚀方法，由于刻蚀速度快、定向性好，正在逐步取代湿法刻蚀。影响氮化硅侧壁刻蚀角度的参数：在半导体集成电路中，真空等离子刻蚀设备的刻蚀工艺不仅可以刻蚀表面层的光刻胶，还可以刻蚀下层的氮化硅层。

通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。

学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

半导体设备在工艺过程中会产生反应热或其他介质辐射、传导的热量。为保证工艺稳定或安全考虑会选择对腔体进行一定的温度控

制。水因获得容易，成本低，对环境无污染，换热率高等优点。通常用作加热或冷却的流体介质。以往的腔体水路多采用铜管或钢管等通过导热胶与腔体粘接。由于存在管壁材料、粘接材料及空气夹层等多层介质间的热传导，换热效率较低。在加工能力提升的今天,逐渐更改为采用机加工或焊接等方式实现的流体介质直接与腔体接触的水路方案。但在换热效率提高的同时也带来了新的问题。