芯片线宽的缩小对刻蚀本身的准确度以及重复性有了更为严苛的要求。多次刻蚀要求每一个步骤的准确度足够高，才能使得整体生产的良率保持在可接受范围内，因此除了对于刻蚀整体步骤数有明显增加外，还对每一步的刻蚀质量有了更高的要求。端制程占比持续提升的大背景下，晶圆厂对于刻蚀本身的资本开支也在大幅提升，在整体制造工艺未发生较大变化的情况下，晶圆代工厂中刻蚀设备的占比将持续提升。

硅晶片的化学蚀刻是通过将晶片浸入蚀刻剂中来完成的，该蚀刻剂传统上是稀释剂或苛性碱溶液的酸性混合物。报道了苛性结晶学蚀刻的各种研究.然而，本文只关注基于酸的蚀刻的传输和动力学效应。实际的反应机理相当复杂，涉及许多基本反应。氢和不同的氮氧化物会产生。已经提出了许多不同条件下硅片溶解的速率方程。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

半导体设备是芯片加工、制造及封装、测试的载体。因其研发技术难度大，成本高而制约着半导体产业的发展。本文以半导体设备研

发过程中出现的铝制腔体水路堵塞、腐蚀问题为研究对象，针对其现象及成因分析进行讨论并找寻解决办法。

铝合金因其优良的性能，广泛应用为半导体设备的腔体材料。材料加工性上，铝合金比不锈钢成本低、重量轻、加工速度快；物理特

性上，其具备高导热性、低磁导率和低碳等优点；铝合金无锈、不发尘，对洁净环境无损伤；并能更好的承受清洗、刻蚀等工艺所产生的氟离子侵蚀。