就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代***晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与起初RCA的配方相差不大，但整体工艺较为明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。

苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、pp/pvc通风柜/厨、cds化学品集中供液系统解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、led等行业及高等院校、研究所等等科技领域的生产和研发。 

     像兆频超声搅动这样的物理辅助手段对结构损伤和图形坍塌等有潜在影响，正在对其改进，以便在保持微粒去除工艺效率的同时不对图形完整性产生有害影响。考虑到表面形态的原子级恶化都可能对器件性能会有致命影响，即使像DI水清洗等这些看起来较良性的清洗程序元素也必须重新评估。

我们的每台设备除标准化制作外，还可根据客户的工艺需求和工作环境的具体要求，对设备进行人性化、个性化设计，极大限度的将客户的想法转化为实际应用。能完全满足规模化生产和研发需求。 天道酬勤，商道酬信！精良的产品质量是我们的根本，超客户预期是我们的自我需求，真诚守信是我们的原则，我们的目标是提升中国湿制程设备制造水平和服务

清洗的注意事项：

(1)关机重启后，时间间隔1分钟以上，否则可能会造成电气损坏；

(2)设备运行中，注意去离子水流量不得超过允许值，否则可能由于排放受阻而造成机器损坏；

(3)每次运行完毕后取出片子时，注意卡塞口是否朝上，纠正后再取出，否则片子会掉出来；

(4)一旦发现水路的关联件出现“漏水”、“滴水”现象应立即关机，检修后再运行。

清洗:

      从溶解的相似相溶规律出发,一般采用-乙醇清洗,或采用乙醇yi醚混液和异bing醇代替乙醇。采用乙醇-yi醚是因为这种混合液的挥发性强,采用异bing醇是因为异bing醇的脱脂能力强。为降低这些本身在MCP表面的残留,在每次使用后都要用超纯水进行漂洗。在不破坏MCP表面特征的情况下可结合搅拌、鼓泡、溢流、喷淋、超声、蒸汽脱脂等方法一起使用。