这对器件几乎没有任何影响,因此可以用纯金、纯银作为溶剂,分别在400℃ ,845℃左右进行低温外延生长.不过太高的溶解度会引起淀积速率不易控制和熔体内自发成核等问题 [1]  .硅LPE系统：LPE技术发展到现在,其广泛采用的系统是改进的浸渍系统和滑动舟系统,近期报道一种新颖的旋转坩埚系统(离心系统)也值得注意 [1]  .苏州科鲁斯特测控科技有限公司苏州科鲁斯特测控科技有限公司



LPE的硅外延层,以其良好的电学、光学及其生长特性,而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1]  .场控制器件：CVD在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,密排栅极叉指制造也受到严重影响,而LPE因其可以消除自掺杂,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1]  .

1、进样量范围：

0.1 – 900μL，增量为 0.1μL （推荐增量为 1μL）

使用多次抽取升级工具包时（需要改动硬件）达 1800μL

2、精度：

5-2000 μL 内，峰面积精度一般 ＜ 0.5 % RSD

2000 – 5000 μL内，峰面积精度一般 ＜ 1 % RSD

1 – 5 μL内，峰面积精度一般 ＜ 3 % RSD

可变体积

3、样品黏度范围：0.2 ~ 5 cp

4、样品容量：

1 个样品盘上 100 ×2 ml 样品瓶，

1/2 盘上 40 ×2 ml 样品瓶

1/2 盘上 15 ×6 ml （安捷伦样品瓶）

安捷伦 1260 Infinity 柱温箱

1、温度范围：从低于室温 10℃ 到 80℃

2、温度稳定性：± 0.15℃

3、控温准确度：± 0.8℃，校准后 ± 0.5℃

4、色谱柱容量：三支 30 cm 的色谱柱

5、加热；冷却到设定温度的时间

从室温到 40℃，需要 5 分种

从 40℃到 20℃需要 10 分钟

6、内部体积：左热交换器 3 μL；右热交换器 6 μL

7、GLP：色谱柱识别模块，用于 GLP 记录色谱柱类型

性能指标对于室温下（25 ℃）的蒸馏水，温度设定为 40 ℃ ，流速范围从 0.1 到 5.0 mL/min时有效。