SiC陶瓷的生产工艺

碳化硅粉体的制备技术就其原始原料状态分为固相合成法和液相合成法。

固 相 合 成 法

固相法主要有碳热还原法和硅碳直接反应法。碳热还原法又包括阿奇逊法、竖式炉法和高温转炉法。阿奇逊法首先由Acheson发明,是在Acheson电炉中,石英砂中的二氧化硅被碳所还原制得SiC,实质是高温强电场作用下的电化学反应,己有上百年大规模工业化生产的历史,这种工艺得到的SiC颗粒较粗。此外,该工艺耗电量大,其中用于生产,为热损失。

20世纪70年代发展起来的法对古典Acheson法进行了改进,80年代出现了竖式炉、高温转炉等合成β一SiC粉的新设备,90年代此法得到了进一步的发展。Ohsakis等利用SiO2与Si粉的混合粉末受热释放出的SiO气体,与活性炭反应制得日一,随着温度的提高及保温时间的延长,放出的SiO气体,粉末的比表面积随之降低。

硅、碳直接反应法是对自蔓延高温合成法的应用,是以外加热源点燃反应物坯体,利用材料在合成过程中放出的化学反应热来自行维持合成过程。除引燃外无需外部热源,具有耗能少、设备工艺简单、生产率高的优点,其缺点是目发反应难以控制。此外硅、碳之间的反应是一个弱放热反应,在室温下反应难以点燃和维持下去,为此常采用化学炉、将电流直接通过反应体、对反应体进行预热、辅加电场等方法补充能量。

人造刚玉加工陶瓷加工件

利用我公司具有的50多年人造刚玉加工技术，结合近几年技术改造引进的大批高精度***设备，事业部目前在各类精密陶瓷元件产品加工方面取得长足进度，加工的各类精密陶瓷元件已广泛应用于航空、航天各领域，并长期、稳定的为国际一i流高精度检测仪器供应商提供大量精密陶瓷产品。

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主要性能：

氮化铝陶瓷加工

氮化铝陶瓷  ALN

氮化铝陶瓷具有很好的热传导性、绝缘性、放热性、耐热冲击性等。可作为防热耐热材料。

主要用途：

半导体制造装置部品；防热性基材等。

ALN的性能特点

氮化铝陶瓷有很高的热导率，在陶瓷材料中仅次于SiC和BeO，目前国内平均水平为150W／m·K，国外为180 ～ 250／m·K，是氧化铝陶瓷热导率的7 ～ 8 倍；其机械强度和介电强度都优于氧化铝陶瓷，膨胀系数、介电性能分别与Si和氧化铝陶瓷相近。因而人们希望用高热导率的氮化铝陶瓷替代氧化铍或氧化铝陶瓷用于高密度、***电子封装的陶瓷基板材料。