公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的简单的定义是结到管壳的热阻抗。

MOS管失效的两个主要原因：

电压失效：即漏源间的BVdss电压超过MOS管额定电压，达到一定容量，造成MOS管失效。

栅电压故障：栅极遭受异常电压尖峰，造成栅氧层故障。

雪崩破坏到底是什么？简单地说，MOS管是由母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等与MOS管之间叠加而形成的故障模式。简而言之，即MOS管漏源极的电压超过了它规定的电压值，并且达到了某一能量极限i时所产生的常见故障。

造成栅电压异常高的主要原因有三个：生产、运输和装配过程中的静电；设备和电路寄生参数在电力系统运行过程中产生高压谐振；在高压冲击时，高压通过Ggd传输到电网(雷击测试时这种故障更为常见)。

做电源电路，或是做推动领域的电源电路，免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型，也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用，自然便是用它的开关功效。

不管N型或是P型MOS管，其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。MOS管是压控器件它根据加在栅极上的电流操纵器件的特点，不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用，因而在开关运用中，MOS管的开关速率应当比三极管快。