同方迪一教你如何正确选用瓷片电容

应依据路线应用运行状态和自然环境标准，挑选适合的型号规格，基本参数应达到路线应用规定。

（1）于高频率耦合电路，除规定电容器耗损小外，还规定容量有优良的温度可靠性，一般选用1类瓷介电容器，其容量基本上不随温度而转变，但其容量仅在几PF~好几百PF中间。

（2）针对做低頻藕合、旁通、过滤的电容器，通常考虑到中小型及成本低是关键的，而对耗损和容量的温度可靠性规定不高，一般可选用2类瓷介电容器，其容量挑选范畴较宽。

（3）瓷片电容器尽管抗压容量较塑料薄膜电容器和电解法电容器要大，但也不允许在超出其额定电流的标准下应用，不然因为电级中的金属离子在强静电场功效下再瓷片物质中的转移速率加速而造成电容器绝缘电阻降低而危害整个机械长期性工作中的稳定性。

（4）针对高溫和髙压标准下工作中的电容器，应留意选用绝缘电阻较高的商品，防止因走电扩大造成恶循环造成电容器无效。一般绝缘电阻IR≥10000MΩ。比如：在CRT加快极过滤部位应选用充足的绝缘电阻；针对行逆程电源电路，因对容量的可靠性和耗损规定较高，只有选用1类髙压瓷介电容器，作为聚丙稀电容器的容量无功补偿柜应用，不然会导致比较严重品质安全隐患。

瓷片电容与别的电容器对比，不同点关键瓷器电容器依据原材料不一样存有很多不一样的温度等级，其特点和容量范畴既有非常大差别。

同方迪一分享104瓷片电容的作用

瓷片电容是电容的一个分类，电容器由于材质，工艺，和使用的不同，分为容量可调堦的可变电容器，和容量固定的固定电容器。固定电容器又有电解电容器，涤纶电容器，云母电容器，瓷片电容器，钽电容器，油浸电容器等很多。瓷片电容器，就是以瓷介质为主要材质制作的电容器。

MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠，无极性，低容值,低成本,耐高温，主要应用于高频电路中。MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本。主要应用于中，低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。

瓷片电容的作用：具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。

104瓷片电容的作用就是这些，其容量大小为104，因此可以根据实际的容量需要来选择是否采用这个容量大小的瓷片电容。

同方迪一销售高压瓷片电容

陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、 BaTiO3, CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容 相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容 到大型的功率瓷片电容。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容 ；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容 ；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。

同方迪一分析去耦瓷片电容的蓄能作用

瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。去耦瓷片电容主要是去除高频RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射，实际上芯片附近的电容还有蓄能的作用。

从微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件 VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，因为阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦瓷片电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC引脚上通常并联一个去耦电容。

有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件， 以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地