同方迪一分享瓷片电容的读数方法

瓷片电容的读数方法和电阻的读数方法基本相同，分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法（nF），1纳法=1000皮法（pF）。

容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V;

容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF;

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

例如：102表示标称容量为1000pF。

211表示标称容量为210pF。

214表示标称容量为21x10（4）pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用“9”表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。例如：219表示标称容量为21x（10-1）pF=2.2pF。

同方迪一直插瓷片电容详细介绍 

直插瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用结构陶瓷作物质，在瓷器表层涂敷一层金属材料塑料薄膜，再经高溫煅烧后做为电级而成的电容器。一般用以高平稳震荡回路中，做为回路、旁通电容器及垫整电容器。

直插瓷片电容分高频率瓷介和低頻瓷介二种。具备小的正电容器温度系数的电容器，用以高平稳震荡回路中，做为回路电容器及垫整电容器。低頻瓷介电容器限于在输出功率较低的回路中作旁通或隔直流电用，或对可靠性和耗损规定不太高的场所〈包含高频率以内〉。这类电容器不适合应用在单脉冲电源电路中，由于他们便于被单脉冲工作电压穿透。

按瓷介电容器电介质又分:1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y9V,2F4)瓷介电容器。E198MLCC(1类)—小型化,高频率化,极低耗损,低ESR,高平稳,高抗压,高绝缘层,高靠谱,无旋光性,低阻值,成本低,耐热.关键运用于高频电路中。

MLCC(2类)—小型化,高比容,中髙压,无旋光性,高靠谱,耐热,低ESR,成本低.关键运用于中,低頻电源电路中作隔直,藕合,旁通和过滤等电容器应用。

高压瓷片电容耐电压的测试条件

1，测试设备

交流耐电压的测试设备应具有能够产生类似于50/60Hz正弦波的性能，如果施加变形的正弦波或超过规定电压值的过载电压,则可能会导致故障。

2，电压外加方法

施加耐电压时，电容器的引线或端子应与耐电压测试设备的输出端连接牢固;然后再将电压从近零增加到测试电压，如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上，则施加时应包含过零点。测试结束时，测试电压应降到近零;然后再将电容器引线或端子从耐电压测试设备的输出端取下，如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上，则可能会出现浪涌电压，从而导致故障.0V电压正弦波过零点是指电压正弦通过0V的位置。

3，失效安全性

当电容器损坏时，失效可能会导致短路，为了避免在短路时引起触电，冒烟，火灾等危险情况，请在电路中使用熔丝等元件来设置自动防故障功能，使用本产品时如忽略上述警告事项，在严重情况下可能导致短路，并引起冒烟或局部离散。

同方迪一讲解高压瓷片电容的耐压计算

同方迪一高压瓷片电容优点

1.容量损耗随温度频率具高稳定性

2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。

试验电压为额定电压的倍数如下：1.CLASS I和II（50V-500V）为3倍；2.CLASS III（1KV-2KV）为2倍；3.3KV-4KV为1.5倍；4.5KV-6KV为1.2倍；5.8KV以上为1.0倍。均印加时间为1-5秒，充放电流限于50MA以下。