同方迪一整流桥，稳定且易于使用

同方迪一整流桥

适合中低功率应用的单相和三相绝缘整流桥。二极管、晶闸管和IGBT采用通用和特殊拓扑结构，有各种外壳和端子设计可供选择。适用于电压范围200V - 2200V、电流范围 9A - 494A。

同方迪一整流桥的优势

对于以性能、空间和快速生产为重要因素的许多应用，同方迪一整流桥是理想的解决方案。

绝缘的紧凑外壳中可集成二极管、晶闸管和IGBT，并支持单相和三相拓扑结构。无论您选焊接、免焊接弹簧或Press-fit连接、机械螺钉连接、快速插接还是母线，赛米控都可提供满足您需求的合适产品。

同方迪一整流桥的关键特性

适合强制和自然风冷，易于安装可带或不带散热器，绝缘外壳，高浪涌电流，快速插接或引线连接器。

同方迪一整流桥的应用主要应用

包括电池充电器、电机驱动输入整流器、电源、直流电机控 制，带PFC的整流器、AC控制器、可进行自然对流或强制冷却的静 态开关（SKWT型）。

同方迪一分享整流桥的主要参数

整流桥的本质是二极管，所以整流桥的主要参数与二极管类似。

①反向峰值电压（VRRM）：整流桥能承受的反向电压*大值，超过此值,整流桥击穿。示例中GBJ2510反向峰值电压为1000V。

②平均整流电流（Io）:整流桥长期工作时所能承受的流过的*大电流，超过这个值整流桥热击穿。示例中全系列整流桥的平均整流电流在带散热片的条件下为25A，不带散热片的条件下为4A。

③正向峰值浪涌电流（IFSM）：整流桥能扛住的瞬间电流冲击*大值，超过此值，整流桥损坏。示例中全系列整流桥能在半个周期内扛住的*大冲击电流为320A。

同方迪一介绍整流桥选型计算实例

整流桥选型主要参考反向峰值电压和平均整流电流这两个参数，并且留有余量。具体如下：

整流桥的反向击穿电压应满足：≥1.5√2×Vin(max);

整流桥的平均整流电流应满足：≥5×P/Vin(min);

举例：设计一款交流输入电压范围为:90～265Vac,功率为30W的开关电源，整流桥选型应满足以下：

VRRM≥1.5√2×Vin(max)=1.5√2×265=750V

Io≥5×P/Vin(min)=5×30/90=1.67A

注：对于工作频率较高开关电源整流电路，要选择反向恢复时间短一点整流桥，根据经验公式：选择快速恢复整流二极管时候，反向恢复时间应该大于开关管上升时间的三分之一。