同方迪一分享如何检测陶瓷电容的好坏?

检验10pF下列的小电容——因10pF下列的固定不动电容器容积很小，用万用表开展准确测量，只有判定的查验其是不是有走电，內部短路故障或穿透状况。准确测量时，可选用万用表R×10k挡，用两直流电流表各自随意接电容的2个脚位，电阻值应是无穷。若测到电阻值（指针往右边晃动）为零，则表明电容走电毁坏或內部穿透。

检验10PF～001μF固定不动电容器是不是有电池充电状况，从而分辨其优劣。万用表选用R×1k挡。二只三极管的β值均为100之上，且穿透电流要小。可选用三维G6等型号规格硅三极管构成钢丝网骨架。万用表的红和黑直流电流表各自与钢丝网骨架的发射极e和集电结c相连。

因为复合型三极管的变大功效，把被测电容的蓄电池充电全过程给予变大，使万用表指针摆力度增加，进而以便观查。应留意的是：在检测实际操作时，特别是在测较小容积的电容时，要不断替换被测电容脚位触碰A、B二点，才可以显著地见到万用表指针的晃动。

因为陶瓷电容的容积一般都较为小（PF级），因而用指针式万用表根据蓄电池充电方法较难分辨，提议应用数显式万用表的电容挡检测。

同方迪一教你如何正确选用瓷片电容

应依据路线应用运行状态和自然环境标准，挑选适合的型号规格，基本参数应达到路线应用规定。

（1）于高频率耦合电路，除规定电容器耗损小外，还规定容量有优良的温度可靠性，一般选用1类瓷介电容器，其容量基本上不随温度而转变，但其容量仅在几PF~好几百PF中间。

（2）针对做低頻藕合、旁通、过滤的电容器，通常考虑到中小型及成本低是关键的，而对耗损和容量的温度可靠性规定不高，一般可选用2类瓷介电容器，其容量挑选范畴较宽。

（3）瓷片电容器尽管抗压容量较塑料薄膜电容器和电解法电容器要大，但也不允许在超出其额定电流的标准下应用，不然因为电级中的金属离子在强静电场功效下再瓷片物质中的转移速率加速而造成电容器绝缘电阻降低而危害整个机械长期性工作中的稳定性。

（4）针对高溫和髙压标准下工作中的电容器，应留意选用绝缘电阻较高的商品，防止因走电扩大造成恶循环造成电容器无效。一般绝缘电阻IR≥10000MΩ。比如：在CRT加快极过滤部位应选用充足的绝缘电阻；针对行逆程电源电路，因对容量的可靠性和耗损规定较高，只有选用1类髙压瓷介电容器，作为聚丙稀电容器的容量无功补偿柜应用，不然会导致比较严重品质安全隐患。

瓷片电容与别的电容器对比，不同点关键瓷器电容器依据原材料不一样存有很多不一样的温度等级，其特点和容量范畴既有非常大差别。

高压电容器符号代表你知道多少？

高压电容器一般有BAM,BFM,BWF,BFF等系列，我们一般常见的是BAM系列。那么，在这么多系列中，这些英文字母代表了什么意思您知道吗？下面同方迪一给您简单的介绍一下。

首字母为系列代号，B表示的是并联电容器。

第二个字母为高压电容器中液体介质的代号，F表示的是二芳基乙，A表示的是苄基甲笨。使用苄基甲笨的高压电容会比较适合寒冷的区域。

第三个字母M为固体介质的代号，表示的是全膜介质。

高压瓷片电容烧坏的原因介绍

一:潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高， 会使高压瓷片电容的表面绝缘电阻下降, 对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温，高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。

二:银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致高压瓷片电容损坏或击穿。

三:有的高压瓷片电容，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至炸掉。

四:从单颗瓷片电容分析,电容碰到了强大的电流，导致内部材料发热，散热不及时，造成热击穿损坏。