同方迪一分享高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比

坚信大伙儿是不是非常容易搞混高压陶瓷电容和高压高压瓷片电容2个的定义，文中便是要为大伙儿理清这二种电子器件的差别，特性及其应用留意等。

高压陶瓷电容的特性：

1.不用验证

2.超高压能够 做到7KV在越高越少见了，

3.打印出方法和Y电容比无需把各国验证打在商品表层，

4.电压*少能够 到16V

5.抗压*大2.5倍一般生产制造是1.5倍的规范测

A型原材料的沟通交流穿透电压特性外边用环氧树脂胶压模包裹的陶瓷电容器的穿透电压厂。与空隙长G(圆片半经与电级半经之差)的关联。电力电容器的直徑为20mm,原材料相对介电常数为1460‘下称A材),电级为银电级。实验标准为25℃,释放50Hz交流电压,电压上升幅度为ZkV/s。

高压瓷片电容特性：

1.常见于高压场所

2.陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，

3.I类瓷，NP0，温度特性，頻率特性和电压特性佳，因相对介电常数不高，因此容积做并不大

4.II类瓷，X7R其次，温度特性和电压特性不错

5.III类瓷，相对介电常数高，因此 容积能够做非常大，但温度特性和电压特性不大好。

6.瓷片电容器一般体积不大

此外，再注重一个关键特性：瓷介电力电容器穿透后，通常呈短路故障情况。（它是它的缺点）而薄膜电容器无效后，一般呈引路情况。

高压瓷片电容和高压陶瓷电容功能基本上是一样的，一些细节会有些不同。所以在使用的时候也要注意到性能方面。

陶瓷电容和瓷片电容有区别嘛，同方迪一为你解答

陶瓷电容：陶瓷电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

二者联系和区别：瓷片电容的高频特性好，但电容值*大只能做到0.1uF。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种。瓷片电容的在识别上与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。以上就是同方迪一整理出来的资讯，同方迪一制造陶瓷电容和瓷片电容，为你提供好的CG电容产品。

同方迪一浅谈瓷片电容的常规特性

瓷片电容是一种用陶瓷作为介质的电容器，它和其它的金属电容相比具有高度的稳定性，特别是在震荡回路中这种稳定性甚为明显。瓷片电容分两种，一种具有高频瓷介，一种就是低频瓷介的。高频瓷介的电容器一般是用于工作频率较高的状态，低频瓷介则相反应用于频率较低的环境，用作对稳定性不高的场合。

一般我们可以把瓷片电容分为2个等级，每个等级都有着自己的特性和作用，通常NP0，COG，SL0是1个等级的，X7R，X5R，Y5U，Y5V是另一个等级的， 前者等级的容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小。而后者等级的瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合。

瓷片电容通常不使用在于脉冲电路中，因为这种电容比较容易被脉冲电压挤坏，虽然比较容易被脉冲电压挤坏，但是他的稳定性相对其它电容来说还是高的，并且瓷片电容还具有很强的耐高温性质和绝缘性质。瓷片电容优点很多，但是缺点还是有的，那就是容量不能做的很大，这在当下大家都追求高容量的情况下是一个很大的缺点，但是已经有很多改进的方法来让陶瓷电容也能做到比较大的容量同时体积比较小。

同方迪一高压陶瓷电容器制作的关键五点

（1）原料要精选

影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。

（2）熔块的制备

熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。

（3）成型工艺

成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。

（4）烧成工艺

应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。

（5）包封

包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。