同方迪一讲述瓷片电容技术参数的发展历程

1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容 ；

30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容 ；

1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的***用电子设备当中。

1960年左右陶瓷叠片电容 作为商品开始开发。

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点。

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容 市场的70%左右。

同方迪一解析瓷片电容产生漏电的原因

按瓷介电容电介质又分：1.类电介质(NP0,C0G)；2.类电介质(X7R,2X1)；3.类电介质(Y5V,2F4)。有小伙伴提出瓷片电容会漏电吗，漏电的原因是什么呢？

①表面脏污引起的表面绝缘下降，这类漏电电流不大，一般是微安级别，热风吹一吹绝缘值会上升。其次内部裂纹，有焊接引起的裂纹和瓷片电容制造不良自带裂纹。这类裂纹引起的漏电电流会不断升高，严重时会引起局部炸开并起火。

②如果供电不干净导致，比如直流电压异常，即使电容的额定电压是50V、25V的也会漏电，但是在1~10V之间的这种电容会严重，它在这种直流电压异常的情况下工作一定时间后，就会漏电，而且随时间增长越来越多，越来越严重。

造成瓷片电容漏电的原因就是上述说所的，如您有技术上的疑问和选型的问题，可以咨询同方迪一，能为您们解决问题，是我们的荣幸。

同方迪一瓷片电容封装

陶瓷电容器虽有上述很多优点，但因陶瓷材料本身机械强度低、易破碎这一缺陷，使其圆片的几何尺寸受到限制，这也是不同温度特性有不同容量范围的主要原因。

通常标准上对低压圆片电容的允许直径D≤12mm，高压电容的圆片允许直径D≤16mm.如超过这一尺寸，生产加工难度和废品率就会有很大增加，并且在瓷片本体上产生的微小裂纹都将对电容器的可靠性产生很大隐患。

圆片式瓷介电容器的包封形式通常按电压区分，500VDC以下的低压产品CC1、CT1系列均采用酚醛树脂包封，该树脂绝缘强度和耐湿性较差，但成本较低。为改善耐湿性，此类包封外层均浸用一层薄蜡。1KVDC以下和交流电容系列，均采用绝缘强度和耐湿特性优良的阻燃环氧树脂包封。

选购瓷片电容的技巧

选购瓷片电容的技巧

如何选购瓷片电容呢，教大家一些方法，希望可以帮助到你。

在购买瓷片电容时要先考虑的是耐压问题而不是容量，如果一个瓷片电容的两端的电压超过了它的额定电压，产品就会被击穿损坏，导致失效，甚至连累更多的元器件，所以考虑耐压问题非常重要。

瓷片电容的电压分档为300V,400V,500V,1KV,2KV等，瓷片电容的耐压分档为1800V,4000V等，在耐压问题解决之后在选择产品的容量，瓷片电容容量单位一般用微法(uf)表示如1uF=1微法，大多数电容的大小为0.1至0.01μF左右。1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)，在选购时一定要有足够的容量来进行使用。