同方迪一分享高压瓷片电容的作用

高压瓷片电容只需对于于高频率，高压瓷片电容在于应用在什么场所，典型性作用能够 清除高频率影响。在功率大的、高压行业应用的高压陶瓷电容器，规定具备中小型、高抗压和频率特点好等特性。

高压陶瓷电容器的主要用途关键分成合闸、配电系统的电气设备和解决单脉冲动能的机器设备。近些年伴随着原材料、电级和生产技术的发展，高压陶瓷电容器的发展趋势有长久的进度，并获得广泛运用。高压陶瓷电容器已变成功率大的高压电子设备不能缺乏的元器件之一。

由于供电系统的特殊性：导致交流电流高，高频率，处于户外自然环境中(-40度到 60度)，遭雷击工作电压/电流量大，这些多种要素，导致了高压陶瓷电容器在产品研发和生产制造中一直处于窘境:自然环境的影响，规定电容器具备强力的可靠性，即弹性系数要小；另外，计量检定，储能技术，分压电路等商品规定高精度，这对处于这类自然环境下的高压陶瓷电容器的局放，即局放量拥有 极其严苛的规定：局放为零。

高压瓷片电容的作用便是这般。往往有这般多的作用，重要就取决于高压瓷片电容的众多优势。其容积耗损随溫度頻率具高可靠性，并且特殊的串连构造合适于高电压极长期性工作中稳定性。

有关高压瓷片电容的作用就详细介绍到这儿。高压瓷片电容具备耐磨损直流电的作用，因而常常被采用一些高压旁通中去。尤其是在接收机及其扫描仪的电源电路中有一定的运用。

同方迪一分享瓷片电容的读数方法

瓷片电容的读数方法和电阻的读数方法基本相同，分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法（nF），1纳法=1000皮法（pF）。

容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V;

容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF;

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

例如：102表示标称容量为1000pF。

211表示标称容量为210pF。

214表示标称容量为21x10（4）pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用“9”表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。例如：219表示标称容量为21x（10-1）pF=2.2pF。

同方迪一分享高压陶瓷电容使用注意事项

高压陶瓷电容使用注意事项

一：工作电压

在交流电路或纹波电流电路中使用直流额定电压电容器时，请务必将外加电压的Vp-p值或包含直流偏置电压的Vo-p值维持在额定电压范围内。

若向电路施加电压，开始或停止时可能会因谐振或切换产生暂时的异常电压，请务必使用额定电压范围包含这些异常电压的电容器。

二：工作温度和自生热

(适用于B/E/F特性)

电容器的表面温度应保持在其额定工作温度范围的上限以下，务必考虑到电容器的自生热，电容器在高频电流，冲激电流等中使用时可能会因介电损耗发出自生热。

外加电压应使自生热等负荷在25℃周围温度条件下不超过20℃范围，测量时应使用0.1mm小热容量的(K)的热电偶。

而且电容器不应受到其它元件的散热或周围温度波动影响，过热可能会导致电容器特性及可靠性下降。

超高压瓷片电容器热设计介绍

超高压瓷片电容器热设计涉及的问题比较复杂,除了电容器内的热源较多(电场作用下，产生热的不只是工作介质，还有极板、引线、辅助介质等)外，电容器内部的导热情况和热流方向错综复杂;介质的损耗角正切和电导随工作状态的变化;各部分能量损耗随诸多因素(散热系数、温度、电压、环境气流等)而改变等,很难用完整的计算来反映众多因素的共同影响。目前所应用的热计算理论都是在下列假设的基础上建立起来的。

(1)电容器内的热源主要是工作介质,而把其它部分的功率损耗忽略;

(2)电容器的散热热流方向(包括内部导热和外部散热的方向)只是垂直于电容器的侧面;

(3)电容器的表面散热系数是一个常数;

(4)工作介质的电导和损耗角正切与介质厚度、电压无关，它们与温度间呈指数关系，且忽略参数分散性;

(5)介质的介电常数与温度无关。