柔性薄膜晶体管的大面积光子剥离工艺

在塑料上制造柔性电子产品通常受到聚合物基板尺寸稳定性差的限制。为了减轻影响，在制造过程中使用了玻璃载体，但在不损坏电子设备的情况下从载体上移除塑料基板仍然具有挑战性。在这里，我们利用大面积、高通量光子剥离 (PLO) 工艺将聚合物薄膜与刚性载体快速分离。PLO 使用来自闪光灯的 150 μs 宽带光脉冲从涂有光吸收层 (LAL) 的玻璃载体基板上剥离功能性薄膜。建模表明聚合物/LAL 界面在 PLO 期间达到 800 °C 以上，但 PI 的顶面保持在 120 °C 以下。在聚酰基板上制造铟锌氧化物 (IZO) 薄膜晶体管 (TFT) 阵列，并以光子方式从玻璃载体上剥离。PLO 未改变 TFT 迁移率。柔性 TFT 机械坚固，弯曲时不会降低移动性。

设备和系统光刻路线图的国际路线图

“背景：半导体芯片性能的计划改进在历推动了光刻技术的改进，预计这将在未来继续。国际设备和系统路线图路线图有助于行业规划未来。

目标：2021 年光刻路线图显示了未来 15 年的要求、可能的选择和挑战。

结果：逻辑芯片的临界尺寸现在足够小，以至于随机因素，即光子、分子和光刻胶成像过程中的随机变化，会引入尺寸的随机变化和随机驱动的缺陷。随着临界尺寸变得更小，随机指标成为更大的挑战。该路线图预计，尽管在工具、光刻胶、器件设计和图案化工艺方面预计会有所改进，但在未来 10 年内，印刷抗蚀剂的剂量仍需大约增加三倍，以保持可接受的随机性，除非对工艺或芯片设计进行重大更改。这将大大提高图案化成本。其他图案化选项正在开发中，但它们也面临与缺陷相关的挑战。边缘放置错误 (EPE) 也是未来设备面临的挑战。长期，

结论：逻辑器件将推动前沿光刻技术。改进的极紫外光刻是主要候选方案，但其他选择也是可能的。关键的短期挑战是随机指标、EPE 和成本。除非出现实质性的工艺创新，否则随着关键尺寸的缩小，预计印刷抗蚀剂的剂量将大幅增加。从长远来看，当逻辑设备切换到 3D 缩放时，挑战将是良率和工艺复杂性。”

Microchip：恢复正常经营与创历史新高

用于汽车电子的微芯片#chips供不应求且非常昂贵。

1、8位车#MCU，如#PIC18F26K22-I/SS，过去半年的价格，不断刷新记录。

2、automobiles使用的以太网#chip #KSZ9031供不应求，价格再次波动至历史新高。

3、Shanghai开封时，微芯的#Ethernet芯片和#ATMEL #microcontroller陆续到达，价格略有下降，如#USB2514BI、#ATmega328P-AU等。

4、此外，由于原材料短缺，#Microchip交货时间延长了一年以上。所有新订单预计将于2023年到货。