中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述

“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种***电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关频率的能力，具有较少的开关和导通损耗。然而，为了充分利用它们的优势，了解WBG和Si的开关装置之间的内在差异并对WBG设备进行安全，有效地和可靠地研究有效手段至关重要。本文旨在为电力工程领域提供工程师了解WBG切换设备的驾驶需求，特别是对于中到高功率应用。首先，探讨了WBG开关装置的特性和操作原理及其在特定电压范围内的商业产品。接下来，寻址关于WBG交换设备的驱动电路设计的考虑，探索设计用于WBG交换设备的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“

高通的网通芯片严重短缺，不少客户在观望

1、网红路由器套片无市。

2、热门芯片AR8031-AL1B，工规物料价格飙涨，现货。

3、QCA8337N-AL3B 上月的需求也较多，但目前市场无现货支持。

4、用于网通的 AR8031/AR8035/AR8033系列，预期今年产能无缓解。

近日网传，高通已通知客户涨价，其涨价分两步：

? 新的合同价格将上涨4%，从2023年1月开始需要交付的订单价格将上涨近10%。

? 高通的终端客户需求处于观望状态，消费类现货居多，部分到货的网红路由器芯片AR8033-AL1A、AR8035-AL1B价格仍处于高位，终端持续观望。

#Diodes的MOSFET由于对车辆的高需求而广受欢迎

??1、DMG/DMN/DMP/DMC系列，交货期为74-104周。

??阿拉伯数字。#MOSFET的交货时间现已延长至100周以上。

#LED前照灯驱动和#power管理（如#DMP??系列和#AP??系列）的基本短缺和价格上涨非常严重。

????原厂的产能基本分配给汽车和电源管理#products，间接导致分立元件等单价产品正常供应失败。虽然传统的分立#components非常便宜，但断开元件的价格却高出数倍。

随着市场供求关系的变化，价格波动也非常大，??我们可以更加关注这些常用的材料。