包含纳米线硅逻辑和内存逻辑NOR的硅内存NAND

“处理量数据需要快速计算系统的高能效和处理时间和高运行。为了实现这个纳米结构，我们已经提出了处理的内存逻辑（LIM）在这里，我们实现了线反馈其不同的性能由模拟组成的NAND和NOR LIM，执行配置的数据处理。 LIM 可以执行指令以在零计算电路下工作以及显示其输出逻辑，具有纳秒级高速处理的逻辑操作。项研究，NAND 和 NOR LIM 具有解决巨大和处理速度问题的潜力。”

EUV光刻用薄膜的电阻率和发射率研究

汉阳大学和德克萨斯大学达拉斯分校的新技术。

“薄膜是一种薄膜结构，可保护极紫外 (EUV) 掩模在曝光过程中免受污染。然而，由于极紫外光子的吸收，其有限的透射率会引起不必要的加热。EUV薄膜的可以通过提高其热稳定性来避免，这是通过提高薄膜的发射率来实现的。然而，薄膜的发射率数据在文献中并不容易获得，其值对厚度非常敏感。因此，我们研究了发射率对结构参数的依赖性，例如厚度、表面粗糙度和晶粒尺寸。我们使用理论和实验方法发现了电阻率和发射率之间的相关性。通过改变Ru薄膜的晶粒尺寸，使用 Lorentz-Drude 模型对电阻率和发射率之间的关系进行了实验验证和确认。后，我们提出了一种开发具有更好热稳定性的 EUV 薄膜的方法，该薄膜可以承受高功率 EUV 光源。”

设备和系统光刻路线图的国际路线图

“背景：半导体芯片性能的计划改进在历推动了光刻技术的改进，预计这将在未来继续。国际设备和系统路线图路线图有助于行业规划未来。

目标：2021 年光刻路线图显示了未来 15 年的要求、可能的选择和挑战。

结果：逻辑芯片的临界尺寸现在足够小，以至于随机因素，即光子、分子和光刻胶成像过程中的随机变化，会引入尺寸的随机变化和随机驱动的缺陷。随着临界尺寸变得更小，随机指标成为更大的挑战。该路线图预计，尽管在工具、光刻胶、器件设计和图案化工艺方面预计会有所改进，但在未来 10 年内，印刷抗蚀剂的剂量仍需大约增加三倍，以保持可接受的随机性，除非对工艺或芯片设计进行重大更改。这将大大提高图案化成本。其他图案化选项正在开发中，但它们也面临与缺陷相关的挑战。边缘放置错误 (EPE) 也是未来设备面临的挑战。长期，

结论：逻辑器件将推动前沿光刻技术。改进的极紫外光刻是主要候选方案，但其他选择也是可能的。关键的短期挑战是随机指标、EPE 和成本。除非出现实质性的工艺创新，否则随着关键尺寸的缩小，预计印刷抗蚀剂的剂量将大幅增加。从长远来看，当逻辑设备切换到 3D 缩放时，挑战将是良率和工艺复杂性。”

  东芯股份上市后的现状如何？

  东芯股份作为集成电路设计公司，一直采用Fabless经营模式开展业务，主要负责芯片的设计、晶圆测试和成品测试、销售等环节的工作。“Fabless生产模式可让我们把精力集中于芯片的设计和开发，确保在激烈的市场竞争中能够快速调整。通过不断推陈出新、迭代提升产品关键性能，针对性地为客户提供NAND、NOR、DRAM存储芯片完整解决方案。”陈磊以东芯股份SLC NAND Flash为例表示，采用中芯国际38nm/力积电28nm工艺的产品已经量产，采用中芯国际24nm的产品达到了量产标准，基于中芯国际1xnm工艺节点的产品已进入研发阶段。

  值得注意的是，东芯股份2021年营业总收入为11.34亿rmb，年营收同比增长44.62%，归母净利润2.62亿rmb，相比2020年增长了1240.27%。根据东芯股份2021年报显示净利润剧增原因为：，产品毛利率上升。随着销售规模逐步扩大，规模效应显现，公司持续微缩制程及提高良率，同时还对现有产品的结构进行持续优化，高附加值和高毛利率产品的销售占比提升，从而毛利率较上年同期有较大提升；第二，财务费用降低。上年同期受升值幅度较大影响，汇兑损失较大，而本报告期内公司通过加强外汇管理降低汇兑损失。