在汽车产品朝着电动化、智能化加速转型的同时，汽车供应链格局也正被改写

未来汽车新物种使汽车零部件的概念和范畴发生了变化。“可以说，传统零部件体系70%以上将面临重构。”陈清泰表示，新能源汽车是一个新的开始。我国电动汽车产业化一步，跨界的产业和企业从中看到了机会并大举进入，通过与整车企业合作比较快地建起了新能源汽车的产业链。

汽车新物种的特征促进了汽车产业链生态的变化。“过去，汽车的产业链、供应链基本是垂直一体化的链式关系。但现在的分工体系是一种网状生态，原有的分工被打破，化分工体系正在重塑，网状的产业链、供应链体系正在加速构建。”苗圩称。

重庆长安汽车股份有限公司副总裁杨大勇介绍，重构后的生态链中，整车制造企业将与全产业链的各环节参与者建立联系并展开合作。整车制造企业与供应商的对话将由过去的成本导向变为技术导向，行业技术更新也将由各环节参与者共同推进。

技术创新被行业寄予厚望。中国汽车工程研究院股份有限公司总经理万鑫铭认为，技术更新为产业供应链的安全稳定提供了重要保障，行业参与者应积极推动科技创新，持续加大研发投入。

2SC5200 晶体管：引脚配置及其应用-广州同创芯电子有限公司

引脚配置2SC5200 晶体管的引脚配置及其符号如下所示。该晶体管包括三个端子，下面讨论每个端子。

2SC5200 晶体管引脚配置

l Pin1（基极）：控制晶体管的偏置，用于打开或关闭晶体管

l Pin2（集电极）：电流流经集电极，通常接负载

l Pin3（发射极）：电流通过发射极流出，通常接地特性和规格2SC5200 晶体管的特性和规格包括以下内容。

l 基于大功率的 NPN 晶体管

l 它采用 To-264 封装设计

l 大电流容量

l 基于高保真 (HiFi) 的音频放大器输出。

l 这个晶体管的开/关非常简单

l 该功率晶体管一旦处于工作状态，就会处理电流

l 晶体管处理低频或高频范围，因此用于音频放大器。

l 一旦晶体管处于导通状态，晶体管上的功率降就会减少。

l 谐波失真低

l 高过渡频率

l hFE 的直流电流增益范围为 55 至 160

l 过渡频率为30MHz

l 持续集电极电流或IC为15A

l 发射基极电压或 VBE 为 5V

l 集电极到发射极电压或 VCE 为 230 V

l 集电极到基极电压或 VCB 为 230V

l 晶体管极性为 NPN

l 基极电流或IB为1.5A

l 工作温度范围为 -55°C 至 150°C

l 功耗或PD为150W

等效的 2sc5200 晶体管是 2sd1313、2sc5242、2sc3320 & FJL4315，该晶体管的替代品是 MJL3281A、KTC5242、TTC5200 & MJl13002A 。

什么是雪崩光电二极管：工作原理及其应用

雪崩光电二极管或 APD 是由日本工程师“Jun-ichi Nishizawa”于 1952 年设计的。 APD 是一种非常灵敏的半导体探测器，它利用光电效应将光转化为电。2020 年，将在该二极管中添加石墨烯层，以避免终退化以维护这些二极管。

在光纤通信系统中，使用雪崩光电二极管或 APD 等单个组件将光转换为电信号。在雪崩过程中，电荷载流子是通过碰撞产生的。光粒子状光子会产生许多电子以产生电流。本文概述了什么是雪崩光电二极管及其应用。

关于电子元器件分销商广州同创芯

广州同创芯是一家 b2b 电子合同制造商，在拥有电子元件采购点。我们可以以的价格寻找和采购混合电子元件和 IC，并满足的客户需求。无论您想要什么组件，无论数量多少，您都可以从同创芯以合理的价格和可追溯的质量购买。现货库存型号：ATTINY1616-MNR、LAN9500AI-ABZJ-TR、IPP086N10N3G 、IRF530NPBF、PIC16LF15386-I/PT、S9S12G48F0MLFR、LM26480SQ-AA//PB、AD8607ARZ-REEL7、ADUM1200CRZ-RL7A、DM2582EBRWZ-REEL7、DS1390U-33+TR、NCP1399ACDR2G、NCL2801CDADR2G、TL594CDR、DS90UB947TRGCRQ1、NCP3231AMNTXG 、BQ40Z50

8英寸碳化硅时代钟声渐近，国内第三代半导体领域再添喜讯

近日，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，晶盛机电首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，这标志着晶盛机电第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代。

SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对生产工艺有着极其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。

此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。

这不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。