在汽车产品朝着电动化、智能化加速转型的同时，汽车供应链格局也正被改写

未来汽车新物种使汽车零部件的概念和范畴发生了变化。“可以说，传统零部件体系70%以上将面临重构。”陈清泰表示，新能源汽车是一个新的开始。我国电动汽车产业化一步，跨界的产业和企业从中看到了机会并大举进入，通过与整车企业合作比较快地建起了新能源汽车的产业链。

汽车新物种的特征促进了汽车产业链生态的变化。“过去，汽车的产业链、供应链基本是垂直一体化的链式关系。但现在的分工体系是一种网状生态，原有的分工被打破，化分工体系正在重塑，网状的产业链、供应链体系正在加速构建。”苗圩称。

重庆长安汽车股份有限公司副总裁杨大勇介绍，重构后的生态链中，整车制造企业将与全产业链的各环节参与者建立联系并展开合作。整车制造企业与供应商的对话将由过去的成本导向变为技术导向，行业技术更新也将由各环节参与者共同推进。

技术创新被行业寄予厚望。中国汽车工程研究院股份有限公司总经理万鑫铭认为，技术更新为产业供应链的安全稳定提供了重要保障，行业参与者应积极推动科技创新，持续加大研发投入。

如何编程 PIC 微控制器以构建项目

***技术的趋势有助于开发的电子产品。大多数这些电子设备是使用微控制器开发的。微控制器是一个电子元件，它被编程来执行各种控制操作。单片机种类繁多，如8051、AVR、ARM、PIC单片机等，均采用集成开发工具进行编程。

PIC单片机PIC 是微控制器的一个家族，由 NXP、microchip 等不同公司制造。PIC 代表“外设接口控制器”，它包含内置的存储器、定时器/计数器、串行通信、中断和 ADC 转换器集成到单个集成芯片中。

PIC 微控制器可用于大多数电子设备，例如警报系统、交通控制系统和基于 RFID 的安全系统等。可以执行 PIC 微控制器编程来执行大量任务。尽管有许多类型的 PIC 微控制器，但和基本的微控制器是 PIC16f877a。

关于电子元器件分销商广州同创芯

广州同创芯是一家 b2b 电子合同制造商，在拥有电子元件采购点。我们可以以的价格寻找和采购混合电子元件和 IC，并满足的客户需求。无论您想要什么组件，无论数量多少，您都可以从同创芯以合理的价格和可追溯的质量购买。现货库存型号：ATTINY1616-MNR、LAN9500AI-ABZJ-TR、IPP086N10N3G 、IRF530NPBF、PIC16LF15386-I/PT、S9S12G48F0MLFR、LM26480SQ-AA//PB、AD8607ARZ-REEL7、ADUM1200CRZ-RL7A、DM2582EBRWZ-REEL7、DS1390U-33+TR、NCP1399ACDR2G、NCL2801CDADR2G、TL594CDR、DS90UB947TRGCRQ1、NCP3231AMNTXG 、BQ40Z50

显示屏指纹传感器|广州同创芯电子有限公司

什么是屏下指纹传感器？

如今，包括指纹传感器在内的智能手机已变得更受保护且速度更快。因此，这些传感器主要用于为智能手机提供安全保障。配备手机的屏下指纹传感器如 Vivo X21、华为 Mate 20 Pro、OnePlus 6T、Oppo R17 Pro、Vivo Nex、华为 P30 Pro、OnePlus 7 Pro、华为 Mate 20 Pro、三星 Galaxy S10 系列、小米米 9、小米 9T、Realme X 和 Oppo Reno 10 倍变焦版和 Vivo V11 Pro。显示屏指纹传感器的主要特点包括灵活性和抗欺骗性。

它是如何工作的？

通过将手指放在传感器上进行登录，可以非常轻松地完成指纹认证过程。下次手机时，传感器会确认之前存储的扫描图像并将其与指纹匹配，以便通过来访问您的手机。

在大多数指纹中，有3种基本图案，如环、拱形和螺纹。拱形类似于波浪纹。边缘从一端开始，在中间增加一点以形成弧形并在另一端停止。基本循环模式在边缘开始的地方形成循环，并在相同的位置停止。这些模型包括深曲线以及在某些情况下；边缘相互交叉。螺纹图案将形成弯曲形状并通过重新进入边缘线来保持。

好处

显示屏指纹传感器的优点包括以下几点。

1、通常，屏下指纹传感器位于手机屏幕下方，非常方便且易于访问。

2、这些传感器适用于湿手指和干手指，光学传感器很薄，它们对手机的宽度没有太大影响。

3、更重要的是，他们很快。实际上，Synaptics 的 Clear ID 可在 0.7 秒内保持与指纹等效。

4、如果我们用面部锁定来评估它，那么检查一张脸需要 1.4 秒的平均时间。

雪崩光电二极管：工作原理及其应用

雪崩光电二极管结构PIN 

光电二极管和雪崩光电二极管的结构相似。该二极管包括两个重掺杂区和两个轻掺杂区。这里，重掺杂区域是 P+ 和 N+，而轻掺杂区域是 I&P。

在本征区中，与 PIN 光电二极管相比，该二极管的耗尽层宽度相当薄。此处，p+ 区的作用类似于阳极，而 n+ 区的作用类似于阴极。

与其他光电二极管相比，该二极管在高反向偏置条件下工作。因此，这允许通过光撞击或光子形成的电荷载流子雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。

这种二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。