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LB-622-400APD15F是一款带光纤尾纤输入光信号，将光信号直接耦合进内部集成1550nm波段光接收雪崩光电二极管（Avalanche Photon Diode，APD）芯片和跨阻放大器（TIA）芯片的探测器，该产品带FC接口的多模光纤，将光信号耦合到APD探测器上，避免光信号大幅度损坏和易于操作；高响应度，低暗电流。高l性能，速率可达到622Mbps TO封装的InGaAs探测器广泛用于光电探测设备。

光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。

光电探测器件的应用选择，实际上是应用时的一些事项或要点。在很多要求不太严格的应用中，可采用任何一种光电探测器件。不过在某些情况下，选用某种器件会更合适些。例如，当需要比较大的光敏面积时，可选用真空光电管，因其光谱响应范围比较宽，故真空光电管普遍应用于分光光度计中。

在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc=1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。