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广西APD探测器价格询问报价「多图」
来源:2592作者:2022/5/25 18:02:00






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LB-622-400APD15F是一款带光纤尾纤输入光信号,将光信号直接耦合进内部集成1550nm波段光接收雪崩光电二极管(Avalanche Photon Diode,APD)芯片和跨阻放大器(TIA)芯片的探测器,该产品带FC接口的多模光纤,将光信号耦合到APD探测器上,避免光信号大幅度损坏和易于操作;高响应度,低暗电流。高l性能,速率可达到622Mbps TO封装的InGaAs探测器广泛用于光电探测设备。



在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料,因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级,照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能,就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc=1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。



器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻,当偏压为70伏时,暗电流为10-6~10-8安,光照灵敏度为3~10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比 CdS高。光敏电阻另一个重要参数是时间常数 τ,它表示器件对光照反应速度的大小。


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