若光源为扩展光源（面光源），则只能在两相干光束的特定重叠区才能观察到干涉，故属定域干涉。对两表面互相平行的平面薄膜，干涉条纹定域在无穷远，通常借助于会聚透镜在其像方焦面内观察；对楔形薄膜，干涉条纹定域在薄膜附近。

薄膜干涉中两相干光的光程差公式为

式中n为薄膜的折射率；t为入射点的薄膜厚度；θt为薄膜内的折射角；±λ/2 是由于两束相干光在性质不同的两个界面（一个是光疏-光密界面，另一是光密-光疏界面）上反射而引起的附加光程差。 次数用完API KEY 超过次数限制

CeO2

使用高密度的钨舟皿（较早使用）蒸发，在200℃的基板上蒸着CeO2，得到一个约为2.2的折射率，在大约3000nm有一吸收带其折射率随基板温度的变化而发生显著变化，在300℃基板500nm区域折射率为2.45，在波长短过400nm时有吸收，传统方法蒸发缺乏紧密性，用氧离子助镀可取得n=2.35（500nm）的低吸收性薄膜，一般为颗粒状，还可用一增透膜和滤光片等。透光范围（nm) 折射率（N) 500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量

400--16000 2.35 约2000 电子*** 防反膜， 多 次数用完API KEY 超过次数限制

名称：氧化镁（MgO)

必须使用电子***蒸发因该材料升华，坚硬耐久且有良好的紫外线（UV）穿透性，250nm时n=1.86，190nm时n=2.06， 166nm时K值为0.1， n=2.65。可用作紫外线薄膜材料。MGO/MGF2膜堆从200nm---400nm区域透过性良好，但膜层被限制在60层以内（由于膜应力）500nm时环境基板上得到n=1.70。由于大气CO2的干扰，MGO暴露表面形成一模糊的浅蓝的散射表层，可成功使用传统的MHL折射率3层AR膜（MgO/CeO2/MgF2）。 次数用完API KEY 超过次数限制

iO2/SiO2制程中都使用300EV的驱动电压，目的是在两种材料中都使用无栅极离子源，这样避免每一层都改变驱动电压，驱动电压高低的选择取决于TiO2所允许的范围，而蒸着速度的高低取决于完全致密且无吸收膜所允许之范围. TiO?用于防反膜，分光膜，冷光膜，滤光片，高反膜,眼镜膜，热反射镜等，黑色颗粒状，熔点：1175℃

透光范围（nm) 折射率（N) 500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量

400--12000 2.35 2000-2200 电子***，防反膜，增透 多

TiO2用于防反膜，装饰膜，滤光片，高反膜

Ti2O3用于防反膜 滤光片 高反膜 眼镜膜 次数用完API KEY 超过次数限制