电池片的检验

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STF 印制：

A 级：

标识要有虚印、粗印现象（字母线宽度应小于 0.22mm   ）但仍可辨识时作为 A 级。若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的 1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。

B 级：

标识要有虚印、粗印现象，字母线宽度应小于 0.22mm   ，但仍可辨识时，如实心“ P ”，若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的

1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。

C 级：

若字母变形或无法辨识时直接降为 C 级。

新的标准与旧的相同

缺陷片：

1．   主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时，但仍有利用价值的片子。

2．   由于存储不当造成成电极氧化时，直接以报废片处理

3．   仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片，如果还有利用价值，则租铺位缺陷片处理

4．   完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。

5．   叠片仍有利用价值的作为缺陷片，如果全叠片则作为报废片处理。

电池片的制作工艺

4. 刮胶角度的影响

刮胶角度的调节范围为45-75 度。实际的刮胶角度与浆料有关，浆料黏度越高，流动性越差，需要刮胶对浆料向下的压力越大，刮胶角度接就越小。在印刷压力作用下，刮胶与丝网摩擦。开始一刷时近似直线，刮胶刃口对丝网的压力很大，随着印刷次数增加，刃口呈圆弧形，作用于丝网单位面积的压力明显减小，刮胶刃口处与丝网的实际角度小于 45 度，易使印刷线条模糊，粘网。在可调范围内，减小刮胶角度，下墨量增加，湿重加大。刮胶刃口钝，下墨量多，线宽大。

5. 浆料黏度的影响

印刷时浆料黏度的变化（触变性）如右图所示：

浆料的黏度与流动性呈反比，黏度越低，流动性越大，可在一定程度保证印刷的质量。浆料黏度过大，透墨性差，印刷时易产生桔皮、小孔。浆料黏度过小，印刷的图形易扩大（栅线膨胀），产生气泡、毛边。

6. 纱厚、膜厚的影响

一般情况下，丝网目数越低，线径越粗，印刷后的浆料层越高，因此丝网目数较高时，印刷后浆料层就低一些。对于同目数的丝网，纱厚越厚，透墨量越少。在一定范围内，感光胶膜越厚，下墨量越大，印刷的栅线越高。但膜厚增大，易造成感光胶脱落。

7. 印刷台面的影响

印刷台面的水平度：印刷时电池片被吸附于印刷台面，若台面不平，电池片在负压下易裂。一般电池片水平度应小于 0.02mm 。印刷台面与网版的平行度：决定了印刷浆料的一致性。一般二者平行度应小于 0.04mm 。印刷台的重复定位精度：太阳能电池片印刷台的重复定位精度需达到 0.01mm 。

2. 短路电流

在一定的温度和辐照条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，通常用 I sc 来表示。

将 PN 结短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，这时所得的电流为短路电流 Isc ，显然有： I sc =  I L   ， I sc 与太阳电池的面积大小有关，面积越大，   I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。

3. 功率点

在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点，又称佳工作点。

4. 工作电压

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示

5. 工作电流

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示

6. 转换效率

受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。   η = V m  I m  / A t

P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流， A t 为太阳电池的总面积， P in 为单位面积太阳入射光的功率。

7. 填充因子

太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用 FF 表示：   FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太阳电池的极限输出功率， I m V m 是太阳电池的大输出功率，填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。

8. 电流温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C   ，太阳电池短路电流的变化值，通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池   α = +0.1%/ 0 C 。

9. 电压温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C   ，太阳电池开路电压的变化值，通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池   β  = - 0.38%/ 0 C 。    

晶硅太阳能电池板的制作过程

晶硅太阳能光伏板的制做全过程 

3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中，根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到盐酸水溶液中侵泡，使其造成放热反应转化成可溶的络和物六氟硅酸，以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中，POCL3与O2反映转化成P2O5淀积在硅片表层。P2O5与Si反映又转化成SiO2和磷分子，那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的SiO2，称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成，关键能源有盐酸、N2、空气压缩、纯净水，热排风系统和污水。盐酸可以融解sio2由于盐酸与sio2反映转化成容易挥发的四氟化硅汽体。若盐酸过多，反映转化成的四氟化硅会深化与盐酸反映转化成可溶的络和物六氟硅酸。 

4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中，即便选用背对背外扩散，硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。PN结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进PN结的反面，而导致短路故障。因而，务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀，以除去充电电池边沿的PN结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下，反映汽体CF4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下，造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成，反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下，除开转化成正离子外，还能消化吸收动能并产生很多的特异性基团。特异性反映基团因为外扩散或是在静电场功效下抵达SiO2表层，在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应，并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层，被超滤装置抽出来波导管。