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腐蚀（ Class 100k）

磨片之后，硅片表面还有一定量的均衡损伤，要将这些损伤去除，但尽可能低的引起附加的损伤。比较有特色的就是用化学方法。有两种基本腐蚀方法：碱腐蚀和酸腐蚀。两种方法都被应用于溶解硅片表面的损伤部分。

背损伤（ Class 100k）

在硅片的背面进行机械损伤是为了形成金属吸杂中心。 当硅片达到一定温度时 ?， 如 Fe, Ni, Cr,Zn 等会降低载流子寿命的金属原子就会在硅体内运动。当这些原子在硅片背面遇到损伤点，它们就会被诱陷并本能地从内部移动到损伤点。背损伤的引入典型的是通过冲击或磨损。一套光伏电站可正常发电25年以上，如果选购合格的产品，选择***的安装商进行标准施工，可以基本保证后期没有额外的维修费用。举例来说，冲击方法用喷砂法，磨损则用刷子在硅片表面磨擦。其他一些损伤方法还有：淀积一层多晶硅和产生一化学生长层。